Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/7361
Назва: The influence of oxygen doping of channel of organic field-effect transistor based on nickel phthalocyanine on the output parameters
Автори: Stakhira, Pavlo
Cherpak, Vladyslav
Pakhomov, Georgiy
Volynyuk, Dmytro
Dutchak, Zoya
Hladun, Mykhaylo
Бібліографічний опис: The influence of oxygen doping of channel of organic field-effect transistor based on nickel phthalocyanine on the output parameters / Pavlo Stakhira, Vladyslav Cherpak, Georgiy Pakhomov, Dmytro Volynyuk, Zoya Dutchak, Mykhaylo Hladun // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 334. – Bibliography: 6 titles.
Дата публікації: 2010
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Теми: OFET
organic semiconductors
thin films
Короткий огляд (реферат): The influence of nickel phthalocyanine (NiPc) thin film doping by oxygen on electric parameters of organic transistor structures of Si/SiO2/NiPc/Au was investigated. The complex analysis of structure and electrical&physical characteristics of thin films of organic low-molecular semiconductor after influence of oxygen during seven days was carried out.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/7361
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії (TCSET'2010). – 2010 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
257.pdf77,33 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.