Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Формування структури плiвок II–VI, отриманих рiзними методами
Other Titles: Formation of structure the films II-VI obtained by diffeent methods
Authors: Рудий, I. О.
Лопатинський, I. Є.
Фружинський, М. С.
Курило, I. В.
Юречко, Р. Я.
Вiрт, I. С.
Bibliographic description (Ukraine): Формування структури плiвок II–VI, отриманих рiзними методами / I. О. Рудий, I. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський, I. В. Курило, Р. Я. Юречко, I. С. Вiрт // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2009. – № 660 : Фізико-математичні науки. – С. 96–100. – Бібліографія: 12 назв.
Issue Date: 2009
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Keywords: структура
дислокацiї невiдповiдностi
аморфний стан
misfit dislocation
amorphous condition
Abstract: Методом електронографiї дослiджено початковi стадiї нарощування плiвок HgCdTe на пiдкладках Al2O3, GaAs, CdTe та KCl. Плiвки отримували методами iмпульсного лазерного осадження та iзоПФЕ. На початкових стадiях росту спостерiгали перехiд вiд аморфної структури до текстурованої полiкристалiчної, аж до появи структури мозаїчного монокристала. Розраховано критичнi розмiри кристалiчних зерен напiвпровiдникових сполук II–VI, подальше зменшення яких приводить до переходу з кристалiчного стану в аморфний. Значення критичних розмiрiв зерен узгоджуються з розмiрами зерен невпорядкованої (аморфної) фази, яка виникає на початковiй стадiї росту епiтаксiйних плiвок HgCdTe на рiзних пiдкладках. By electron diffraction were investigated the initial stages of growth HgCdTe films on substrates Al2O3, GaAs, CdTe and KCl. The films were grown by a pulsed laser deposition and ISO VPE. Observed transition from amorphous structure up to textured polycrystalline and before occurrence of structure of a mosaic monocrystal. Estimative calculation in carried out for the critical sizes of crystalline grains of some semiconductor II–VI compounds, a futher decrease in which leads to a crystalline-amorphous transition. Values of critical grain sizes are in agreement with sizes of the disordered (amorphous) phase appearing at the initial stage of growth of epitaxial HgCdTe films on different substrates.
Content type: Article
Appears in Collections:Фізико-математичні науки. – 2009. – №660

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15.pdf275,17 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.