Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/6349
Назва: Формування структури плiвок II–VI, отриманих рiзними методами
Інші назви: Formation of structure the films II-VI obtained by diffeent methods
Автори: Рудий, I. О.
Лопатинський, I. Є.
Фружинський, М. С.
Курило, I. В.
Юречко, Р. Я.
Вiрт, I. С.
Бібліографічний опис: Формування структури плiвок II–VI, отриманих рiзними методами / I. О. Рудий, I. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський, I. В. Курило, Р. Я. Юречко, I. С. Вiрт // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2009. – № 660 : Фізико-математичні науки. – С. 96–100. – Бібліографія: 12 назв.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Теми: структура
дислокацiї невiдповiдностi
дисперснiсть
аморфний стан
structure
misfit dislocation
disperse
amorphous condition
Короткий огляд (реферат): Методом електронографiї дослiджено початковi стадiї нарощування плiвок HgCdTe на пiдкладках Al2O3, GaAs, CdTe та KCl. Плiвки отримували методами iмпульсного лазерного осадження та iзоПФЕ. На початкових стадiях росту спостерiгали перехiд вiд аморфної структури до текстурованої полiкристалiчної, аж до появи структури мозаїчного монокристала. Розраховано критичнi розмiри кристалiчних зерен напiвпровiдникових сполук II–VI, подальше зменшення яких приводить до переходу з кристалiчного стану в аморфний. Значення критичних розмiрiв зерен узгоджуються з розмiрами зерен невпорядкованої (аморфної) фази, яка виникає на початковiй стадiї росту епiтаксiйних плiвок HgCdTe на рiзних пiдкладках. By electron diffraction were investigated the initial stages of growth HgCdTe films on substrates Al2O3, GaAs, CdTe and KCl. The films were grown by a pulsed laser deposition and ISO VPE. Observed transition from amorphous structure up to textured polycrystalline and before occurrence of structure of a mosaic monocrystal. Estimative calculation in carried out for the critical sizes of crystalline grains of some semiconductor II–VI compounds, a futher decrease in which leads to a crystalline-amorphous transition. Values of critical grain sizes are in agreement with sizes of the disordered (amorphous) phase appearing at the initial stage of growth of epitaxial HgCdTe films on different substrates.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/6349
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Фізико-математичні науки. – 2009. – №660

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
15.pdf275,17 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.