Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5898
Назва: Механізми струмопереносу в ізотипних гетероструктурах n-CdIn2Te4/n-SnS2
Автори: Горлей, Петро
Грушка, Зінаїна
Грушка, Олена
Заболоцький, Іван
Бібліографічний опис: Механізми струмопереносу в ізотипних гетероструктурах n-CdIn2Te4/n-SnS2 / Петро Горлей, Зінаїна Грушка, Олена Грушка, Іван Заболоцький // Енергетика та системи керування : матеріали I Міжнародної конференції молодих вчених EPECS-2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 14–15. – (Міжнародний молодіжний фестиваль науки "Litteris et Artibus"). – Бібліографія: 5 назв.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Теми: heterojunction
n-CdIn2Te4/n-SnS2
optical contact
current-voltage curve
current transport mechanisms
Короткий огляд (реферат): The authors created n-CdIn2Te4/n-SnS2 heterojunction by deposition over optical contact, investigated temperature evolution of its current-voltage curves under the forward bias U ≤ 3V. Analyzing temperature dependence of the curves obtained, the main mechanisms of current transport through the semiconductor contact were determined, allowing prediction of successful possible applications of the heterojunction studied under high temperatures and elevated radiation due to the parameters of the base semiconductors and the diode structure itself.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5898
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Енергетика та системи керування (EPECS-2009). – 2009 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
04.pdf118,95 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.