Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5715
Назва: Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії
Автори: Дружинін, А. О.
Островський, І. П.
Ховерко, Ю. М.
Нічкало, С. І.
Бібліографічний опис: Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Дванадцята відкрита науково-технічна конференція професорсько-викладацького складу Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету “Львівська політехніка” з проблем електроніки : тези доповідей, 7–9 квітня 2009 року / Національний університет “Львівська політехніка”. – Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009. – С. 29.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5715
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Дванадцята відкрита науково-технічна конференція Інституту телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки. – 2009 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
25.pdf425,16 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.