Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5154
Назва: Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn
Автори: Ревенко, Катерина
Ромака, Віталій
Бібліографічний опис: Ревенко К. Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn / К. Ревенко, В. Ромака // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали ІІІ Міжнародної конференції молодих вчених CSE–2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 350–353. – ( Міжнародний молодіжний фестиваль науки «Litteris et Artibus»). – Бібліографія: 8 назв.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Теми: temperature
thermometric element
semiconductor
Короткий огляд (реферат): Crystal structure, density of electron states and electrotransport characteristics of the heavy, Co impurity, doped n-TiNiSn intermetallic semiconductor (N=9,5*10+1,9*10cm) were investigated in the T=80+380K temperature range. The variable degree of the occupation of Ni and Ti atomic positions Co atomic in the TiNi1-xCoxSn, x<0,003, lattices was established. It is equivalent to introducnion in this semiconductor the of acceptor and donor impurities.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/5154
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Комп'ютерні науки та інженерія (CSE-2009 ). – 2009 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
125.pdf330,94 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.