Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45264
Title: Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів
Authors: Готра, З. Ю.
Голяка, Р. Л.
Гладун, М. Р.
Гуменюк, І. А.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, М. Р. Гладун, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 15–19.
Bibliographic description (International): Doslidzhennia vplyvu zmishchennia pidkladky ionno-selektyvnykh polovykh tranzystoriv na parametry khimichnykh sensoriv / Z. Yu. Hotra, R. L. Holiaka, M. R. Hladun, I. A. Humeniuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 15–19.
Is part of: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
Journal/Collection: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”
Issue: 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Issue Date: 26-Mar-2002
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.382
Number of pages: 5
Page range: 15-19
Start page: 15
End page: 19
Abstract: Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора
The influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45264
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
© Готра З. Ю., Голяка Р. Л., Гладун М.Р., Гуменюк І. А., 2002
References (Ukraine): 1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 171-174.
2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 1052 - 1055,
3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972. - 527 p.
References (International): 1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 171-174.
2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 1052 - 1055,
3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972, 527 p.
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.