Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45263
Title: Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску
Authors: Дорош, Н. В.
Кучмій, Г. Л.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Дорош Н. В. Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску / Н. В. Дорош, Г. Л. Кучмій // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 11–14.
Bibliographic description (International): Dorosh N. V. Pidvyshchennia chutlyvosti mikroelektronnykh sensoriv tysku / N. V. Dorosh, H. L. Kuchmii // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 11–14.
Is part of: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
Journal/Collection: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”
Issue: 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Issue Date: 26-Mar-2002
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 4
Page range: 11-14
Start page: 11
End page: 14
Abstract: Наведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини.
The technology of laser-stimulated boron diffusion in silicon for obtaining dopant concentration in order of 1020 cm'3 at reduction of temperature and diffusing annealing time with purpose of sensitivity improvement in microelectronic pressure sensors is presented in the paper. The method of determination of laser threshold power for creation of defective region in silicon wafer is presented.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45263
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
© Дорош Н. В., Кучмій Г. Л., 2002
References (Ukraine): 1. Ваганов В. И. Интегральные тензопреобразователи. - М, 1983.
2. Кучмій Г. Л. Мироненко М. Л. Контроль глибини дифузії при виготовленні напівпровідникових інтегральних мікросхем : Матеріали наукової конференції викладачів, співробітників та студентів. - Чернівці, 1995. - Т, 2. - С. 36.
References (International): 1. Vahanov V. I. Intehralnye tenzopreobrazovateli, M, 1983.
2. Kuchmii H. L. Myronenko M. L. Kontrol hlybyny dyfuzii pry vyhotovlenni napivprovidnykovykh intehralnykh mikroskhem : Materialy naukovoi konferentsii vykladachiv, spivrobitnykiv ta studentiv, Chernivtsi, 1995, T, 2, P. 36.
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.