Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45258
Title: Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням
Authors: Прокопчук, О. Л.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Прокопчук О. Л. Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням / О. Л. Прокопчук // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 71–74.
Bibliographic description (International): Prokopchuk O. L. Kontrol parametriv poverkhnevoho sharu CdTe, modyfikovanoho impulsnym lazernym oprominiuvanniam / O. L. Prokopchuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 71–74.
Is part of: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
Journal/Collection: Вісник Національного університету “Львівська політехніка”
Issue: 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Issue Date: 26-Mar-2002
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621
535.21
Number of pages: 4
Page range: 71-74
Start page: 71
End page: 74
Abstract: Методом рентгенівського мікроаналізу та низькотемпературної екситонної спектроскопії відбиття досліджено взаємодію імпульсного випромінювання ІЧ лазера з кристалом p-CdTe, Виявлено сублімацію атомів кадмію з поверхні та певну періодичність концентраційних розподілів атомів Cd і Те в опроміненій ділянці.
Pulsed IR laser irradiation of p-CdTe single crystal was investigated by means of X ray microanalysis and low température excitonic refleetion spectroscopy. Sublimation of cadmium and telluride atoms from the surface as well as certain periodicity of concentration distributions for Cd and Te atoms were observed in the irradiated area.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/45258
Copyright owner: © Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
© Прокопчук О. Л., 2002
References (Ukraine): 1. Двуреченский А.В,, Качурин Г.А., Нидаев Е.В. и др. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. - М, 1982. - 208 с.
2. Кашкарев П.К., Тимошенко В.Ю. Поверхность / Физика, химия, механика. - 1995. ~ № б. С. 5.
3. Акобирова А.Т., Матвеев О.А., Ривкий С.М., Зеленина Н.К Тепловое воздействие импульсного лазерного излучения на структуру CdTe / ФТП, 1976. - 10, 11, 2127.
4. Kosoboutski Р., Kijak R., Bibikov RRed. Effects and Defects in Solids. - 1995. - V. 137. - P. 40.
5. Гаркавенко A.C., Кособуцкий Н. С., Мокрицкий B.A. Лазерная обработка широкозонных материалов / Технология и Конструирование в Электронной Аппаратуре. - 1993. - М 2. - С. 41.
6. Danylov A., Kosoboutskiy Р., Prokopch.uk О. Laser oxidation of wide bandgap semiconductors by continious 1R laser light // Proc. ofICSS-10, Birmingham, 31 August - 4 September, 1998.
7. Райхман Б.А., Смирнов B.H. / ЖТФ, 1995. - 56. - Ns 11, 2277.
8. Bonchik A.Yu., Dacko B.J., Demchuk V.I., et.al Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2000. - V. 3. - N. 3. - P. 311.
9. Данилов А.Б., Kocoбуцький П.С., Прокопчук О.Л. Еліпсометричні дослідження поповерхонь кристалів CdTe і GaAs, опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону // Вісник ДУ ”Львівська Політехніка”, 2000. - № 393. - С. 44.
10. Кособуцький П.С. Докторська дисертація, 1996. - С. 26.
11. Кособуцький П.С., Прокопчук О.Л. Локалізація екстремумів екситонного відбивання світла надхраткою з поодинокою квантовою ямою // УФЖ, 1996. 41. - № 4. - С. 419.
12. Байдулаева А., Власенко А.И., Горковенко Б.Л., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. Изменение структуры дефектов в монокристаллах р-CdTe при прохождении лазерной ударной волны // ФТП, 2000. - 34. 4. - С. 443.
13. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник/Под ред. А.В. Новоселова. - М., 1978. - 326 с.
References (International): 1. Dvurechenskii A.V,, Kachurin H.A., Nidaev E.V. and other Impulsnyi otzhih poluprovodnikovykh materialov, M, 1982, 208 p.
2. Kashkarev P.K., Timoshenko V.Iu. Poverkhnost, Fizika, khimiia, mekhanika, 1995. ~ № b. P. 5.
3. Akobirova A.T., Matveev O.A., Rivkii S.M., Zelenina N.K Teplovoe vozdeistvie impulsnoho lazernoho izlucheniia na strukturu CdTe, FTP, 1976, 10, 11, 2127.
4. Kosoboutski R., Kijak R., Bibikov RRed. Effects and Defects in Solids, 1995, V. 137, P. 40.
5. Harkavenko A.C., Kosobutskii N. S., Mokritskii B.A. Lazernaia obrabotka shirokozonnykh materialov, Tekhnolohiia i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 1993, M 2, P. 41.
6. Danylov A., Kosoboutskiy R., Prokopch.uk O. Laser oxidation of wide bandgap semiconductors by continious 1R laser light, Proc. ofICSS-10, Birmingham, 31 August - 4 September, 1998.
7. Raikhman B.A., Smirnov B.H., ZhTF, 1995, 56, Ns 11, 2277.
8. Bonchik A.Yu., Dacko B.J., Demchuk V.I., et.al Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation, Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2000, V. 3, N. 3, P. 311.
9. Danylov A.B., Kocobutskyi P.S., Prokopchuk O.L. Elipsometrychni doslidzhennia popoverkhon krystaliv CdTe i GaAs, oprominenykh impulsnym lazerom ICh diapazonu, Visnyk DU "Lvivska Politekhnika", 2000, No 393, P. 44.
10. Kosobutskyi P.S. Doktorska dysertatsiia, 1996, P. 26.
11. Kosobutskyi P.S., Prokopchuk O.L. Lokalizatsiia ekstremumiv eksytonnoho vidbyvannia svitla nadkhratkoiu z poodynokoiu kvantovoiu yamoiu, UFZh, 1996. 41, No 4, P. 419.
12. Baidulaeva A., Vlasenko A.I., Horkovenko B.L., Lomovtsev A.V., Mozol P.E. Izmenenie struktury defektov v monokristallakh r-CdTe pri prokhozhdenii lazernoi udarnoi volny, FTP, 2000, 34. 4, P. 443.
13. Fiziko-khimicheskie svoistva poluprovodnikovykh veshchestv: Spravochnik/ed. A.V. Novoselova, M., 1978, 326 p.
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.