Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/4388
Назва: Теоретична модель одноелектронного транзистора
Автори: Павлишин, В.
Закалик, Л.
Корж, Р.
Бібліографічний опис: Павлишин В. Теоретична модель одноелектронного транзистора / В. Павлишин, Л. Закалик, Р. Корж // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2007. – № 591 : Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 91–94. – Бібліографія: 12 назв.
Дата публікації: 2007
Видавництво: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Теми: модель одноелектронного транзистора
“кулонівська блокада”
фізична моделю
Короткий огляд (реферат): Розглянуто фізичну модель одноелектронного транзистора, в якій враховано “кулонівську блокаду”, що створює робочий канал розміром меншим за 10 нм. A physical model of single-electron transistor is discussed in present article. This model considers also Koulon-blocade created by a working channel of transistor which is < 10 nm.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/4388
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Комп'ютерні системи проектування теорія і практика. – 2007. – №591

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
16.pdf265,95 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.