Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42860
Назва: Електрон-фононна взаємодія і термодинамічні функції у шаруватих кристалах
Інші назви: Electron-phonon interaction and thermodynamic functions in layered crystals
Автори: Товстюк, К. К.
Приналежність: Національний університет “Львівська політехніка”
Бібліографічний опис: Товстюк К. К. Електрон-фононна взаємодія і термодинамічні функції у шаруватих кристалах / К. К. Товстюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 165–178. – Бібліографія: 40 назв.
Журнал/збірник: Електроніка
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
УДК: 537.311.33
Кількість сторінок: 165–178
Короткий огляд (реферат): Розраховані термодинамічні функції газу носіїв струму у шаруватих напівпровідниках для кімнатних (слабко вироджений газ) температур з врахуванням особливості хімічного зв’язку у таких кристалах. Аналізується постійна струм утворюючих хімічних реакцій що мають місце на поверхнях електродів із вказаним зв’язком. Порівнюються отримані величини із аналогічними, отриманими для ізотропних кристалів. Розглянута багаточастинкова (електрон-фононна) взаємодія у шаруватих кристалах з врахуванням особливостей як електронного, так і фононного одно- частинкових спектрів. Аналізується зміна електронного спектра такою взаємодією залежно від кожного параметра зокрема. Результати порівняні із експериментальними даними. Розрахований псевдоефект Яна-Теллера, зумовлений близько розташованими давидовськими зонами у спектрі електронів. Будуються можливі поверхні адіабатичного потенціалу у просторі нормальних зміщень. Проведені термодинамічні розрахунки, які дозволяють виділити з можливих розв’язків найбільш реальні. Отримані результати добре пояснюють поляризаційні властивості таких кристалів. The thermodynamic function of current carrier was estimated for room temperature layer semiconductors considering the specifically bounding between atoms in these crystals. The constant for current producing chemical reactions, which take place on the surface of electrodes, made from layered material, are analyzing. The estimated values are compared with the same ones in isotropic crystals. Considered many particles (electron-phonon) in Layered crystals with the peculiarity of one particle (both electron and phonon) spectra. We analyze the changing of electron spectrum by such interaction as a function of separated parameters. The results are compared with experimental dates. We estimate the Jahn-Teller pseudo effect, which take place in these crystals due to small energy differences between different energy surfaces, which are typical for layered crystals. We show the possible surfaces of adiabatic potential and analyze them by thermodynamic calculations, which show the more probable case. Obtained results are in good agreement with experimental dates.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42860
Власник авторського права: © Товстюк К. К., 2002
Перелік літератури: 1. Беленький Г.Л., Стопачинский В.Б. // УФН. - 1983. -140, Вып. 2 - С. 237. 2. Самойлович А.Г. Термодинамика и статистическая физика. - М., 1955. - С. 367. 3. Товстюк К.К. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1998. - № 57. - С. 85-88. 4. Товстюк К.К. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 2000. - № 393. - С. 164-170. 5. Товстюк К.К. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1999. - № 382. - С. 78-81. 6. Isihara A. Electron Correlations in two Dimensions // Solid State Physics. - N.-Y., 1989. - Vol. 4. - 459 p. 7. Tovstyuk C.C. //Molecular Physics Reports. - 1999. - 23. - P. 197-199. 8. Yoffe A.D. //Festkorprobleme. - 19 773. -13. - P. 1-29. 9. Товстюк К.К. // Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 2002. - № 455. - С. 208-212. 10. Tovstyuk K.D., Tovstyuk C.C. New Trends in Intercalaion Compounds for Energy Storage. - 2002. - P. 629-632. 11. Глинка Н.Л. Общая химия. - Л., 1955. - 700 c. 12. Пат. 19630А Україна, МПК Н01М4/04. Спосіб виготовлення електронної кераміки для потужних електродів /К.Д. Товстюк, К.К. Данилевич-Товстюк, Г.П. Кочетов, Г.1. Ман- дич. - №95010291; Заявл. 20.01.95; Опубл. 25.12.97, Бюл. № 6. 13. Пат. 20098А Україна, МПК6 Н01М4/04. Спосіб виготовлення електродів для високо- потужних акумуляторів /К.Д. Товстюк, К.К. Данилевич-Товстюк, Н.К. Товстюк. - № 94097071; Заявл. 27.09.94; Опубл. 25.12.97, Бюл. № 6. 14. Пат. 35175А Україна, МПК6 Н01М4/04. Спосіб виготовлення нікель-кадмієвого акумулятора на основі субмікронної кераміки /К.Д. Товстюк, Г.П. Кочетов, К.К. Товстюк. - № 99084837; Заявл. 27.08.99; Опубл. 15.03.01, Бюл. № 2. 15. Лифшиц ИМ. //ЖЭТФ. - 1952. - 22, В.2. - С. 471-474. 16. Лифшиц И.М. //ЖЭТФ. - 1952. - 22, В.2. - С. 475-486. 17. James A. Young, Kuppel J.U. // J.Chem. Phys. - 1965. - 42, № 1. - P. 357-364. 18. Смит Г., Вакабаяси Н. Фононыг // Динамические свойства твёрдыгх тел и жидкос¬тей. Исследование методом рассеяния нейтронов. - М., 1980. - C. 97-162. 19. Wakabayashi N., Smith H.G., Shanks R. //Phys. Letters. - 1974. - № 5. - A50. - P. 367-368. 20. Wakabayashi N., Smith H.G., Niclow R.N. // Phys. Rev. - 1975. - № 12. - B12. - P. 659-663. 21. Stirling W.G., Dorner B., Cheeke J.D.N., Revelli J. //Solid State Communs. - 1976. - 18, № 7. - P. 931-933. 22. Jandl S., Brebner J.L., Levy F. // J.Phys.C. - 1977. -10, № 16. - P. 3039-3049. 23. Бурий О.А., Данилевич-Товстюк К.К. // УФЖ. - 1996. - № 5-6. - С. 565-568. 24. Данилевич-Товстюк К.К., Бурий О.А. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - № 326. - С. 115-117. 25. Gnatenko Yu.P., Zhirko Yu.I. // УФЖ. - 1997. - Т. 42. - № 2. - С. 185-190. 26. СавчинВ.П., Cmaxupa Й.М. // ФТП. - 1978. -12, вып. 11. - C. 2137-2142. 27. Савчин В.П. // ФТП. - 1981. - 15, вып. 7. - С. 1430-1432. 28. Ковалюк З.Д., Минтянский И.В. // УФЖ. - 1981. — 26, № 7, - С. 18-23. 29. Augelly V.,Manfreditti G., Murri R., Vasenelli L. //Phys. Rev. B. - 1978. - P. 35-46. 30. Блецкан Д.И., Положинец Н.В., Чепур Д.В. // ФТП. - 1984. -18, вып. 2. - С. 233-238. 31. Бурий О.А. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1999 - № 382. - С. 61-67. 32. Данилевич-Товстюк К.К., Берча Д.М. // ФТП. - 1981. -15, № 6. - С. 1204-1206. 33. Lukiyanets B.A., Tovstyuk K.D., Boichuk V.V., Danilevich-Tovstyuk K.K. // Phys. Stat. Sol.(b). - 1984. - 124. - P. 693-698. 34. Buryi O.A., Tovstyuk C.C. // Proc. of the Second international school-conference “Physical problems in material science of semiconductors”. - Chernivtsi, 1997. - P. 169. 35. Nikiforov A.E., Shashkin S.Yu., Krotkii A.I. //Phys. Stat. Sol. - 1980. - Vol. B97, № 1. - P. 471. 36. Nikiforov A.E., Shashkin S.Yu., Krotkii A.I. // Phys. Stat. Sol. - 1980. - Vol. B98. - № 1. - P. 289-296. 37. Obert T., Bersucer I.B // Czech. J. Phys. - 1983. - Vol. B33. - P. 568-573. 38. Buryi O.A., Tovstyuk C.C. // Molecular physics reports. - 1999. - 23. - P. 143-144. 39. Бурий О.А., Товстюк К.К. // Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1998. - № 325. - С. 37-40. 40. Pat. N 5368957 USA, Int.Cl5H01M4/58. Energy storage device / I.D. Kozmik, K.D. Tovstjuk, Z.D. Kovalyuk, I.I. Grigortchak, E.G. Krigan, B.P. Bahmatyuk. - N 968183; Filed 29.10.92; Publ. 29.11.94.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2002. – №459

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
13_165-178.pdf238,02 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.