Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42858
Назва: Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12
Інші назви: Radiation induced defects in the laser crystals based on Gd3Ga5O12 nost
Автори: Матковський, А.
Сугак, Д.
Убізський, С.
Потера, П.
Сольський, І.
Григорьева, Л.
Міллер, Д.
Панкратов, В.
Сухоцький, А.
Приналежність: Національний університет “Львівська політехніка”
Інститут матеріалів НВП “Карат”
Інститут фізики Жешувського університету
Інститут фізики твердого тіла Латвійського університету
Інститут фізики ПАН
Бібліографічний опис: Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12 / А. Матковський, Д. Сугак, C. Убізський, П. Потера, І. Сольський, Л. Григорьева, Д. Міллер, В. Панкратов, А. Сухоцький // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 135–148. – Бібліографія: 40 назв.
Журнал/збірник: Електроніка
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
УДК: 535.37+548.76
Кількість сторінок: 135–148
Короткий огляд (реферат): Досліджено стабільні центри забарвлення (ЦЗ), що виникають у кристалах ГГГ під впливом опромінення гамма-квантами (? = 1,25 Мев, поглинуті дози до 2*10 Гр), та короткоживучі ЦЗ, створені імпульсним електронним пучком (? =12 2= 250 КеВ, тривалість імпульсу 10 нс, флюенс 10 см"). Показано, що при даних режимах опромінення зміни оптичних властивостей ГГГ зумовлені радіаційним перезарядженням генетичних дефектів кристалів. На основі вивчення спектрів поглинання неопромінених та опромінених зразків ГГГ встановлено залежність між станом дефектної підсистеми свіжовирощених кристалів та типами центрів забарвлення, що індуковані радіацією. Запропоновано моделі стабільних та короткоживучих ЦЗ в кристалах ГГГ. Оцінено вплив індукованих радіацією ЦЗ на зміну генераційних властивостей монокристалів ГГГ :Nd. Stable color centers (CC), which appear in the GGG-crystals under the influence of the gamma-quanta irradiation (? = 1,25 MeV, absorbed dose less then 2*10 Gy), and transient CC, created by the impulse beam of electrons (?=250 KeV, duration of 12 2 the pulse 10 ns, fluence 10 cm ) were investigated in this work. It is shown, that the changes of the GGG optical properties at those irradiation conditions are connected with the recharge of the genetic defects of crystals. The radiation induced CC types depend on the state of the defect subsystem of as-grown crystals as it was established on the base of the absorption spectra studying. The models of the stable and transient CC in GGG crystals were proposed. The influence of the radiation induced CC on the GGG: Nd crystal lasing properties was estimated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42858
Власник авторського права: © Матковський А., Сугак Д., Убізський С., Потера П., Сольський І., Григорьева Л., Міллер Д., Панкратов В., Сухоцький А., 2002
Перелік літератури: 1. Дорошенко M.E., Осшо В.В., Cuгачев В.Б., Tuмoшeчкuн М.И. // Квантовая электронша. - 1991. - 1S. - C. 298-300. 2. Дорошенко M.E., Осшо В.В., Cuгачев В.Б., Tuмoшeчкuн М.И. // Квантовая элек- тронша. - 1991. - 1S. - C. 799-802. 3. Дорошенко M.E., Осшо В.В., Cuгачев В.Б., Tuмoшeчкuн М.И. // Квантовая элек- тронша. - 1993. - 20. - C. 569-573. 4. Rose T.S., Hopkins M.S., Fields R.A. //IEEE J. Quant. Electron. -1995. - 31. - P. 1593-1602. 5. Матковский А.О., Сугак Д.Ю., Убизский С.Б. и др. Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники. - Львов, 1994. - 211 с. 6. Cermak K., Linka A. // Czech. J. Phys. - 1981. - B31. - P. 652-657. 7. Гармаш В.М., Ермаков Г.А., Любченко В.М., Филимонов А.А. // Квантовая электроника. - 1986. - 13. - С. 855-857. 8. Карасева Л.Г., Константинов НЮ., Громов В.В. // Журн. прикл. спектроскопии. - 1986. - 45. - С. 205-210. 9. Куратев И.И., Насельский С.П., Новиков В.К. и др. // Квантовая электроника. - 1991. -12. - С. 1299-1300. 10. Жариков Е.В., Насельский С.П., Рябов А.И., Щербаков И.А. // Квантовая электроника. - 1987. - 14. - С. 836. 11. Дивак А.А., Ковыгженко Н.А., Цветков Ю.В. и др. // Лазерная техника и опто¬электроника. - 1992. - № 1-2. - С. 56-58. 12. Forrester P.A., Sampson D.F. //Proc. Physical Soc. - 88. - P. 199-202. 13. Matkovskii A.O., Sugak D.Yu., Durygin A.N. et al. // Opt. Mater. - 1996. - 6. - P. 353-358. 14. Ubizskii S.B., Matkovskii A.O., Mironova-Ulmane N. et al. //Phys. Stat. Sol. (A). - 2000. - 177. - P. 349-366. 15. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. - М., 1991. - 288 с. 16. Модели процессов в широкощелевыгх твердыгх телах с дефектами / Ю.Р. Закис, Л.Н. Канторович, Е.А. Котомин, В.Н. Кузовков, И.А. Тале, А.Л. Шлюгер. - Рига, 1991. - 382 с. 17. Убізський С.Б. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ". - 1998. - № 357. - C. 88-98. 18. Sugak D., Matkovskii A., Durygin A. et al. // J. Luminescence. - 1999. - 82. - P. 9-15. 19. Ковалева Н.С., Иванов А.О., Дубровина Е.П. //Квантовая электроника. - 1981. - 8. - С. 2433-2438. 20. Sugak D., Matkovskii A., Savitskii D. et al. //Phys. Stat. Sol. (A). - 2001. - 184. - P. 239-250. 21. Mateika D., Laurien R., Rusche C. // J. Cryst. Growth. - 1982. - 56. - P. 677-689. 22. Grigorjeva L., Pankratov V., Millers D. et al. //IntegratedFerroelectrics. - 2001. - 35. - P. 137-149. 23. Воробьев Ю.П., Гончаров ОЮ. //Неорган. материалыг. -1994. - 30. - С. 1576-1583. 24. Кузьмичева Г.М., Козликин С.Н., Жариков Е.В. и др. // Журн. неорган. химии. - 1988. - 33. - С. 2200-2207. 25. Элементыг и устройства на цилиндрических магнитныю доменах. Справочник / Под ред. Н.Н. Евтихиева и Б.Н. Наумова. - М., 1987. - 488 с. 26. Носенко А.Е., Китык И.В. // Укр. физ. журн. - 1989. - 34. - С. 386-389. 27. Матковский А.О., Сугак Д.Ю., Костиков Ю.П. и др. // Неорган. материалыг. - 1990. - 26. - С. 788-792. 28. Akhmadullin I. Sh., Migachev S.A., Mironov S.P. // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. - 1992. - B65. - P. 270-275. 29. Matkovskii A.O., Sugak D.Yu., Ubizskii S.B. et al. // Phys. Stat. Sol. (A). - 1991. - 128. - P. 21-29. 30. Стельмах Н.С., Рябов А.И., Пирогова Г.Н. //Неорган. материалыг. - 1992. - 28. - С. 400-404. 31. Матковский A.O., Сугак Д.Ю., Болеста И.М. и др. // Журн. прикл. спектроскопии. - 1989. - 51. - С. 542-545. 32. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниках. - М., 1984. - 475 с. 33. Baryshevski V., Korzhyk M., Minkov B. et al. // J. Phys.: Cond. Matter. - 1993. - 5. - P. 7893-7897. 34. Matkovskii A., Durygin A., Suchocki A. et al. //Rad. Eff. andDef. in Sol. - 1999. - 150. - P. 199-203. 35. Potera P., Grigorjeva L., Matkovskii A. et. al. //Europhysical conference on defects in insulating materials. - Wroclaw, Poland, July 1-5, 2002. Abstract. - P. Tu-P97. 36. Mori K. //Phys. Stat. Sol. (A). - 1977. - 42. - P. 375-384. 37. Константинов Н.Ю., Карасева Л.Г., Громов В.В. //Докл. АН СССР. - 1980. - 253. - С. 909-912. 38. E. Kotomin et al., J. Phys.: Cond. Matter. - 1997. - 9. - P. 965-970. 39. Бедилов М.Р., Эгамов У. //Журн. техн. физики. - 1981. - 8. - С. 1603-1605. 40. Sugak D., Matkovskii A., Grabovskii V. et. al. // Acta Physica Polonica (A). - 1998. - 93. - P. 643-648.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2002. – №459

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
11_135-148.pdf542,11 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.