Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42858
Title: Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12
Other Titles: Radiation induced defects in the laser crystals based on Gd3Ga5O12 nost
Authors: Матковський, А.
Сугак, Д.
Убізський, С.
Потера, П.
Сольський, І.
Григорьева, Л.
Міллер, Д.
Панкратов, В.
Сухоцький, А.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Інститут матеріалів НВП “Карат”
Інститут фізики Жешувського університету
Інститут фізики твердого тіла Латвійського університету
Інститут фізики ПАН
Bibliographic description (Ukraine): Радіаційно-індуктовані дефекти в лазерних кристалах на основі Gd3Ga5O12 / А. Матковський, Д. Сугак, C. Убізський, П. Потера, І. Сольський, Л. Григорьева, Д. Міллер, В. Панкратов, А. Сухоцький // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 135–148. – Бібліографія: 40 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 535.37+548.76
Number of pages: 135–148
Abstract: Досліджено стабільні центри забарвлення (ЦЗ), що виникають у кристалах ГГГ під впливом опромінення гамма-квантами (? = 1,25 Мев, поглинуті дози до 2*10 Гр), та короткоживучі ЦЗ, створені імпульсним електронним пучком (? =12 2= 250 КеВ, тривалість імпульсу 10 нс, флюенс 10 см"). Показано, що при даних режимах опромінення зміни оптичних властивостей ГГГ зумовлені радіаційним перезарядженням генетичних дефектів кристалів. На основі вивчення спектрів поглинання неопромінених та опромінених зразків ГГГ встановлено залежність між станом дефектної підсистеми свіжовирощених кристалів та типами центрів забарвлення, що індуковані радіацією. Запропоновано моделі стабільних та короткоживучих ЦЗ в кристалах ГГГ. Оцінено вплив індукованих радіацією ЦЗ на зміну генераційних властивостей монокристалів ГГГ :Nd. Stable color centers (CC), which appear in the GGG-crystals under the influence of the gamma-quanta irradiation (? = 1,25 MeV, absorbed dose less then 2*10 Gy), and transient CC, created by the impulse beam of electrons (?=250 KeV, duration of 12 2 the pulse 10 ns, fluence 10 cm ) were investigated in this work. It is shown, that the changes of the GGG optical properties at those irradiation conditions are connected with the recharge of the genetic defects of crystals. The radiation induced CC types depend on the state of the defect subsystem of as-grown crystals as it was established on the base of the absorption spectra studying. The models of the stable and transient CC in GGG crystals were proposed. The influence of the radiation induced CC on the GGG: Nd crystal lasing properties was estimated.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42858
Copyright owner: © Матковський А., Сугак Д., Убізський С., Потера П., Сольський І., Григорьева Л., Міллер Д., Панкратов В., Сухоцький А., 2002
References (Ukraine): 1. Дорошенко M.E., Осшо В.В., Cuгачев В.Б., Tuмoшeчкuн М.И. // Квантовая электронша. - 1991. - 1S. - C. 298-300. 2. Дорошенко M.E., Осшо В.В., Cuгачев В.Б., Tuмoшeчкuн М.И. // Квантовая элек- тронша. - 1991. - 1S. - C. 799-802. 3. Дорошенко M.E., Осшо В.В., Cuгачев В.Б., Tuмoшeчкuн М.И. // Квантовая элек- тронша. - 1993. - 20. - C. 569-573. 4. Rose T.S., Hopkins M.S., Fields R.A. //IEEE J. Quant. Electron. -1995. - 31. - P. 1593-1602. 5. Матковский А.О., Сугак Д.Ю., Убизский С.Б. и др. Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники. - Львов, 1994. - 211 с. 6. Cermak K., Linka A. // Czech. J. Phys. - 1981. - B31. - P. 652-657. 7. Гармаш В.М., Ермаков Г.А., Любченко В.М., Филимонов А.А. // Квантовая электроника. - 1986. - 13. - С. 855-857. 8. Карасева Л.Г., Константинов НЮ., Громов В.В. // Журн. прикл. спектроскопии. - 1986. - 45. - С. 205-210. 9. Куратев И.И., Насельский С.П., Новиков В.К. и др. // Квантовая электроника. - 1991. -12. - С. 1299-1300. 10. Жариков Е.В., Насельский С.П., Рябов А.И., Щербаков И.А. // Квантовая электроника. - 1987. - 14. - С. 836. 11. Дивак А.А., Ковыгженко Н.А., Цветков Ю.В. и др. // Лазерная техника и опто¬электроника. - 1992. - № 1-2. - С. 56-58. 12. Forrester P.A., Sampson D.F. //Proc. Physical Soc. - 88. - P. 199-202. 13. Matkovskii A.O., Sugak D.Yu., Durygin A.N. et al. // Opt. Mater. - 1996. - 6. - P. 353-358. 14. Ubizskii S.B., Matkovskii A.O., Mironova-Ulmane N. et al. //Phys. Stat. Sol. (A). - 2000. - 177. - P. 349-366. 15. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. - М., 1991. - 288 с. 16. Модели процессов в широкощелевыгх твердыгх телах с дефектами / Ю.Р. Закис, Л.Н. Канторович, Е.А. Котомин, В.Н. Кузовков, И.А. Тале, А.Л. Шлюгер. - Рига, 1991. - 382 с. 17. Убізський С.Б. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ". - 1998. - № 357. - C. 88-98. 18. Sugak D., Matkovskii A., Durygin A. et al. // J. Luminescence. - 1999. - 82. - P. 9-15. 19. Ковалева Н.С., Иванов А.О., Дубровина Е.П. //Квантовая электроника. - 1981. - 8. - С. 2433-2438. 20. Sugak D., Matkovskii A., Savitskii D. et al. //Phys. Stat. Sol. (A). - 2001. - 184. - P. 239-250. 21. Mateika D., Laurien R., Rusche C. // J. Cryst. Growth. - 1982. - 56. - P. 677-689. 22. Grigorjeva L., Pankratov V., Millers D. et al. //IntegratedFerroelectrics. - 2001. - 35. - P. 137-149. 23. Воробьев Ю.П., Гончаров ОЮ. //Неорган. материалыг. -1994. - 30. - С. 1576-1583. 24. Кузьмичева Г.М., Козликин С.Н., Жариков Е.В. и др. // Журн. неорган. химии. - 1988. - 33. - С. 2200-2207. 25. Элементыг и устройства на цилиндрических магнитныю доменах. Справочник / Под ред. Н.Н. Евтихиева и Б.Н. Наумова. - М., 1987. - 488 с. 26. Носенко А.Е., Китык И.В. // Укр. физ. журн. - 1989. - 34. - С. 386-389. 27. Матковский А.О., Сугак Д.Ю., Костиков Ю.П. и др. // Неорган. материалыг. - 1990. - 26. - С. 788-792. 28. Akhmadullin I. Sh., Migachev S.A., Mironov S.P. // Nucl. Instr. & Methods in Phys. Res. - 1992. - B65. - P. 270-275. 29. Matkovskii A.O., Sugak D.Yu., Ubizskii S.B. et al. // Phys. Stat. Sol. (A). - 1991. - 128. - P. 21-29. 30. Стельмах Н.С., Рябов А.И., Пирогова Г.Н. //Неорган. материалыг. - 1992. - 28. - С. 400-404. 31. Матковский A.O., Сугак Д.Ю., Болеста И.М. и др. // Журн. прикл. спектроскопии. - 1989. - 51. - С. 542-545. 32. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниках. - М., 1984. - 475 с. 33. Baryshevski V., Korzhyk M., Minkov B. et al. // J. Phys.: Cond. Matter. - 1993. - 5. - P. 7893-7897. 34. Matkovskii A., Durygin A., Suchocki A. et al. //Rad. Eff. andDef. in Sol. - 1999. - 150. - P. 199-203. 35. Potera P., Grigorjeva L., Matkovskii A. et. al. //Europhysical conference on defects in insulating materials. - Wroclaw, Poland, July 1-5, 2002. Abstract. - P. Tu-P97. 36. Mori K. //Phys. Stat. Sol. (A). - 1977. - 42. - P. 375-384. 37. Константинов Н.Ю., Карасева Л.Г., Громов В.В. //Докл. АН СССР. - 1980. - 253. - С. 909-912. 38. E. Kotomin et al., J. Phys.: Cond. Matter. - 1997. - 9. - P. 965-970. 39. Бедилов М.Р., Эгамов У. //Журн. техн. физики. - 1981. - 8. - С. 1603-1605. 40. Sugak D., Matkovskii A., Grabovskii V. et. al. // Acta Physica Polonica (A). - 1998. - 93. - P. 643-648.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №459

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
11_135-148.pdf542,11 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.