Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42856
Назва: Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд)
Інші назви: Rare earth impurities in the IV-VI and III-V: semiconductors: behaviour and influence on the physical properties. (Review)
Автори: Заячук, Д. М.
Кемпник, В. І.
Круковський, С. І.
Полигач, Є. О.
Рибак, О. В.
Приналежність: Національний університет “Львівська політехніка”
Бібліографічний опис: Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд) / Д. М. Заячук, В. І. Кемпник, С. І. Круковський, Є. О. Полигач, В. М. Рибак , О. В. Рибак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 110–124. – Бібліографія: 37 назв.
Журнал/збірник: Електроніка
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
УДК: 621.315.592
Кількість сторінок: 110–124
Короткий огляд (реферат): Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42856
Власник авторського права: © Заячук Д. М., Кемпник В. І., Круковський С. І., Полигач Є. О., Рибак В. М., Рибак О. В., 2002
Перелік літератури: 1. Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. // ФТП. - 1990. - 24. - C. 610-629. 2. Мастеров В.Ф. // ФТП. - 1993. - 27. - C. 1435-1452. 3. Langer J.M., Gregorciewicz T. Rare Earth Impurities in Semiconductors. // Encyclope¬dia of Materials Science and Technology. - 2000. 4. Заячук Д.М., Иванчук Д.Д., Иванчук Р.Д., Микитюк В.И. // ФТП. - 1989. - 23. - C. 1654-1657. 5. Zayachuk D.M., Ivanchuk D.D., Ivanchuk R.D., Maslyanchuk S.S., and Mikityuk V.I. // Phys. Stat. Sol. (a). - 1990. -119. - Р. 215-219. 6. Заячук Д.М., Микитюк В.И. //Письма в ЖТФ. - 1990. - 16. - C.64-66. 7. Заячук Д.М., Микитюк В.И. //ЖПС. - 1991. - 54. - C. 98-102. 8. Заячук Д.М., Шендеровський В.А. // УФЖ. - 1991. - 36. - C. 1692-1713. 9. Zayachuk D.M., Matulenis E.L., Mikityuk V.I. // J. Cryst. Growth. - 1992. - 121. - Р. 235-239. 10. Zayachuk D.M., Mikityuk V.I., Starik P.M. //Mater. Sci. Engineering. - 1992. - B12. - Р. 241-243. 11. Гарасим В.І., Заячук Д.М., Іванчук Д.Д. Іванчук Р.Д. // УФЖ. -1994. - 39. - C. 464-468. 12. Микитюк В.И., Заячук Д.М., Cтарик П.М., Гарасим В.И., Краснодемский В.П. // Неорганические Материалы. - 1995.- 31. - С. 1315-1319. 13. Гарасим В.И., Заячук Д.М., Иванчук Р.Д., Кемпник В.И., Микитюк В.И. // Неор¬ганические Материалыг. - 1996. - 32. - С. 551-555. 14. Заячук Д.М., Иванчук Р.Д. Кемпник В.И. Микитюк В.И. // ФТТ. - 1996. - 38. - С. 2502-2504. 15. Zayachuk D.M., Ivanchuk R.D., Kempnyk V.I., Mikityuk V.I. // Acta Phys. Polon., A. - 1996. - 90. - Р. 985-988. 16. Заячук Д.М., Добрянский O.A. // ФТП. - 1998. - 32. - С. 1331-1333. 17. Заячук Д.М., Добрянський O.A., Рибак В.М. // Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1998. - № 357. - С. 38-43. 18. Кемпник В.1. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1998. - № 357. - С. 46-50. 19. Zayachuk D.M., Dobryansky O.A., Rybak V.M., Kempnyk V.I., Mikityuk V.I., Slynko E.I. // Proceeding of 9th Inter. Conf. of narrow gap semiconductors, Berlin, Germany. -1999. - Р. 210-212. 20. Zayachuk D.M., Kempnyk V.I., Bednarsky W., Waplak S. // JMMM. - 1999. - 191. - Р. 207-210. 21. Заячук Д.М., Кемпник В.1.. Полигач Є.О. // Вісн. НУ “Львівська політехніка ”. - 2000. - № 401. - С. 86-92. 22. Zayachuk D.M., Polyhach Ye.O., Mikityuk V.I., Baltrunas D. // Phys. Stat. Sol. (b). - 2001. - 225. - Р. 311-316. 23. Заячук Д.М., Полигач Є.О. Слинько Є.1. Хандожко О.Г. // Вісн. НУ “Львівська політехніка ”. - 2001. - № 423. - С. 81-86. 24. Балтрунас Д.1., Заячук Д.М., Микитюк В.1., Полигач Є.О. // Фізика і хімія твердого тіла. - 2001. - 2. С. 559-563. 25. Zayachuk D.M., Polyhach Ye, Slynko E., Khandozhko O., Kempnyk V., Baltrunas D. // Physica B. - 2001. - 308-310. - P. 1057-1060. 26. Zayachuk D, Polyhach Ye., Slynko E., Khandozhko O., andRudowicz C. //Physica B. - 2002. - 322. - P. 270-275. 27. Заячук Д.М., Кемпник В.1., Полигач Є.О., Слинько Є.1., Хандожко О.Г. //Вісн. НУ “Львівська політехніка ”. - 2002. 28. Семенова Г.Н., Крыгштаб Т.Г., Кладько В.П., Круковский С.И., Свительский А.В. // Неорганические материалыг. - 1996. - 32. - С. 916-919. 29. Kryshtab T.G., Prokhorovich A.V., Semenova G.N., Krasnov V., Krukovskii S.I., Merker R. // Proc. Intern. Conf. Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolence, Slovakia. - 1996. - P. 89-92. 30. Круковський С.1., Завербний 1.Р. // Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 2000. - № 397. - С. 17-21. 31. Круковський С.1. //Вісн. НУ “Львівська політехніка ”. - 2000. - № 401. - С. 13-18. 32. Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Krukovsky S.I., Zayachuk D.M. // Mater. Sci. and Engineering. - 2000. - B69-70. - P. 441-443. 33. Bolshakova I., Koptsev P., Melnyk I., Moskovets T., Krukovky S., Zayachuk D. // Crystal Research and Technology. - 2001. - 36. - P. 989-996. 34. Круковський С.1., ЗаячукД.М., Мрихін 1.О. //Вісн. НУ “Львівська політехніка”. - 2002. 35. Заячук Д.М., Рибак О.В. // Вісн. ДУ “Львівська політехніка ”. - 1998. - № 357. - С. 43-46. 36. Рибак О.В. // Вісн. ДУ “Львівська політехніка”. - 1999. - № 382. - С. 7—11. 37. Заячук Д.М., Рибак В.М., Рибак О.В. //Вісн. ДУ “Львівська політехніка’’. - 2000. - № 397. - С. 11-17.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2002. – №459

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
9_110-124.pdf506,26 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.