Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42855
Назва: Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії
Інші назви: Porous structures in silicon solar energy converter
Автори: Єрохов, В. Ю.
Приналежність: Національний університет “Львівська політехніка”
Бібліографічний опис: Єрохов В. Ю. Пористі структури в кремнієвих фотоперетворювачах сонячної енергії / В. Ю. Єрохов // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 92–109. – Бібліографія: 27 назв.
Журнал/збірник: Електроніка
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
УДК: 621.315.592
Кількість сторінок: 92–109
Короткий огляд (реферат): Проаналізовані еволюція і сучасний стан фотоперетворювачів сонячної енергії на основі кремнію. Показані сучасні напрями збільшення ефективності перетворення та зменшення вартості сонячних батарей та панелей сонячної енергії при використанні пористих структур деяких напівпровідникових матеріалів, таких як Si. Показані розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS) та розробка макропористого кремнію (MPS) на поверхні кремнієвої підкладки, з використанням хімічної та електрохімічної технології, яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. При використанні макропористого кремнію інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7 %. The evolution and modern condition of solar energy converter on the basis of silicon was the purpose of present paper. Also the prospects of their further application in terrestrial power and Probabilities of use of porous structures in structures of solar cells also are considered. The development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence is analysed. With macroporous silicon (MPS) the average reflection coefficient of MPS in range of 4001000 nm was decreased to 7 %.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42855
Власник авторського права: © Єрохов В. Ю., 2002
Перелік літератури: 1. Колтун М.М. Солнечные элементы. - М., 1987. - 190 с. 2. Yerokhov V.Yu., Melnyk 1.1. Porous silicon in solar cell structures: A review of achievements and modern directions of further use // Journal: Renewable and Sustainable Energy Reviews. - 1999. - Vol.3. - N 4. - P. 291-322. 3. Pearson G.L. PV founders award luncheon // Proc. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. - Las Vegas (USA), 1985. - P. 347-350. 4. Mandelkorn J., McAfee C., Kesperis J., Schwartz L., Pharo W. Fabrication and characteristics of phosphorus-diffused silicon solar cells // J. Electrochem. Soc. - 1962. - 109. - P. 313-322. 5. Mandelkorn J., Lamneck J. H. Simplified Fabrication of Back Surface Electric Field Silicon Cells and Novel Characteristic of Such Cells // Proc. 9th IEEE Photovoltaic Spec. Conference. - New York (USA), 1972. - P. 1972-1975. 6. Mandelkorn J., Lamneck J.H. A new electric field effect in silicon solar cells // J. Appl. Phys. - 1973. - 44. - P. 4785-4787. 7. Godlewski M.P., Baraona C.R., Brandhorst H.W. Low-high junction theory applied to solar cells // Proc. 10th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. - Palo Alto (USA). - 1973. - P. 40-49. 8. Lindmayer J., Allison J. H. The Violet Cell: An Improved Silicon Solar Cell //Proc. 9th IEEE Photovoltaic Specialists Conference. - 1972. - P. 83-90. 9. Haynos J, Allison J, Arndt R, Meulenberg A The Comsat non-reflective silicon solar cell: a second generation improved cell // Proc. Int. Conf. on Photovoltaic Power Generation. - Hamburg (Germany), 1974. - P. 487-490. 10. Arndt RA., Allison J. F., Haynos J. G., Meulenberg A. Jr. Optical Properties of the COMSATNon-Reflective Cell //Proc. 11th IEEE Photovoltaic Spec. Conf. - 1975. - P. 40-47. 11. Rittner E.S., Arndt RA. Comparison of silicon solar cell efficiency for space and terrestrial use // J. Appl. Phys. - 1976. - 47. - P. 2999-3004. 12. Green M.A. Silicon solar cells: evolution, highefficiency design and efficiency enhancements // Semicond. Sci. Technol. - 1993. - 8. - P. 1-12. 13. Green M.A., Blakers A.W., Wenham S.R. Narayanan S., Willison M.R, Taouk M., Szpitalak T. Improvements in silicon solar cell efficiency // Proc. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. - Las Vegas (USA), 1985. - P. 39-42. 14. Sinton RA., Kwark Y., Gruenbaum P., Swanson RM. Silicon point contact concentrator solar cells // Proc. 18th IEEE Photovoltaic Specialists Conf. - Las Vegas (USA), 1985. - P. 61-65. 15. Green M.A. Recent advances in silicon solar cell performance // Proc. 10th European Communities Photovoltaic Solar Energy Conference. - Lisbon (Portugal), 1991. - P. 250-253. 16. Blakers A.W., Zhao J., Wang A., Milne A.M., Dai X., Green M.A. 22.6% Efficient Silicon Solar Cells // Proc. 9th European Photovoltaic Solar Energy Conference. - Florence (Italy), 1989. - P. 301-304. 17. Green M.A. Silicon solar cells. Advanced Principles & Practice. - Sydney: Centre for Photovoltaic Devices and Systems University of NSW, 1995. - 363 p. 18. Zhao J., Wang A., Altermatt P.P., Green M.A Twenty-four percent efficient silicon solar cells with double layer antireflection coatings and reduced resistance loss // Appl. Phys. Lett. - 1995. - 66. - P. 3636-3638. 19. Zhao J., Green M. A. Optimized Antireflection Coatings for High Efficiency Silicon Solar Cells //IEEE Trans. Electron. Devices. - 1991. - ED-38. - P. 1925-1934. 20. Green M.A., Zhao J., Wang A., Wenham S.R. 45% Efficient Silicon Photovoltaic Cell Under Monochromatic Light //IEEE Electron. Device Letters. - 1992. -13. - P. 317-318. 21. Masafumi Yamaguchi. Physics and technologies of super-high-efficiency tandem solar cells // ФТП. - 1999. - T. 33, еип. 9. - C. 1054-1058. 22. V. Yerokhov, Hezel R., Lipinski M., Ciach R., Nagel H., Mylyanych A., Panek P.// Sol. En. Mat. Sol. Cel. - 2002. - Vol. 72 (1-4). - P. 291-298 23. Вакие H.M., Крукоеский С.И., Epoxoe В.Ю., u др. // HT “ТЕХН. И KOHCTP. ЭЛ. АППАР.’’. - 2001. - № 3. - С. 21-30. 24. Yerokhov V.Yu, Semochko I.M. // Opto-Electronics Review. - 2000. - Vol. 8. - N 4. - P. 414-417. 25. Yerokhov V.Yu., Melnyk I.I., Korovin A.V. // Sol. En. Mat. Sol. Cells. - 1999. - 58. - P. 225-236. 26. Yerokhov V.Yu., MelnykI.I. //Solid-State Electronics. - 1998. - 42. - P. 883-889. 27. Epoxoe В.Ю., Мельник И.И.// Физика и техника полупроеодникое. - 1997. - № 10. - С. 1273-12 77.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2002. – №459

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
8_92-109.pdf554,15 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.