Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42854
Назва: П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структур
Інші назви: Piezoresistive mechanical sensors based on semiconductor whiskers and SOI-structures
Автори: Дружинін, А. О.
Мар’ямова, І. Й.
Лавитська, О. М.
Кутраков, О. П.
Панков, Ю. М.
Ховерко, Ю. М.
Приналежність: Національний університет “Львівська політехніка”
Науково-дослідний центр “Кристал”
Бібліографічний опис: П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структур / А. О. Дружинін, І. Й. Мар’ямова, О. М. Лавитська, О. П. Кутраков, Ю. М. Панков, Ю. М. Ховерко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 75–91. – Бібліографія: 37 назв.
Журнал/збірник: Електроніка
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
УДК: 621.315.592
Кількість сторінок: 75–91
Короткий огляд (реферат): Описано розроблені напівпровідникові тензорезистори на основі вирощених з газової фази ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, германію і сполук А В (антимоніду галію, арсеніду галію, фосфіду галію) та наведено їх характеристики. Розглянуто деякі типи розроблених п’єзорезистивних сенсорів тиску з тензо-резисторами на основі НК кремнію, зокрема, сенсори для вимірювання пульсацій тиску, сенсори з універсальним тензомодулем, високотемпературні сенсори, сенсори для кріогенних температур, для медичної діагностики, а також сенсори гідростатичного тиску на основі НК GaSb. Подано мікроелектронні сенсори тиску на основі шарів полікремнію-на-ізоляторі, рекристалізованих лазерним опроміненням. 35. Developed semiconductor strain gauges based on silicon, germanium and AB compounds (GaSb, GaAs, GaP) whiskers grown from the vapour phase are described, and their perfomance are presented. Some types of developed pressure sensors with strain gauges based on Si whiskers are presented, i.e. sensors to measure pressure pulsation, sensors with universal strain unit, high-temperature sensors, sensors for cryogenic temperatures, sensors for medical diagnostics, and sensors to measure hydrostatic pressure based on GaSb whiskers. Microelectronic sensors based on laser-recrystallized polysilicon layers-on-insulator are described.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42854
Власник авторського права: © Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Лавитська О. М., Кутраков О. П., Панков Ю. М., Ховерко Ю. М., 2002
Перелік літератури: 1. Caндyлoвa A.B., Марьямова И.И., Заганяч Ю.И. // ФТТ. - 19б5. - Т. 7. - С. 1581-1582. 2. Caндyлoвa A.B., Марьямова И.И., Заганяч Ю.И. // Пoлynрoвoдникoвaя техника и микроэлектроника. - K., 19бб. - Bum. 1. - C. 114-121. 3. Caндyлoвa A.B., Марьямова И.И., Заганяч Ю.И. // Пoлynрoвoдникoвыle тензодат¬чики. - М., 19б7. - С. 1б-25. 4. Caндyлoвa A.B., Заганяч Ю.И., Марьямова И.И. // Сб. трyдoв по noлynрoвoдникoвыlм материалам, приборам и их применению. - Boрoнeж, 19б8. - С. 149-158. 5. Voronin V., Maryamova I., Zaganyach Y., Karetnikova E. andKutrakov A. //Sensors and Actuators. - 1992. - Vol. A30. - P. 27-33. 6. Maryamova I., Lavitska E., Tykhan M., Kutrakov A. and Yatzuk Y. //Proceedings IMEKO World Congress. Finland. - 1997. - Vol. IX A. - P. 99-103. 7. Марьямова И.И., Яцюк Ю.С., Каретникова E.H. //Приборыг и cиcтeмыl ynрaвлeния. - 1989. - № 1. - C. 27. 8. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Oszwaldowski M. et al. // Cryst. Res. Technol. - 2002. - Vol. 37. - P. 243-257. 9. Caндyлoвa A.B., Марьямова И.И., Заганяч Ю.И., Boрoшилo Г.И., Панков Ю.М. // Приборыг и cиcтeмыl ynрaвлeния. - 197б. - M 1. - С. 23-24. 10. Maryamova I., Pankov Y. // Proceed. 44th Itern. Scient. Colloqium TU Ilmenau, Germany. - 1999. - P. 248-250. 11. Марьямова И.И., Панков Ю.М. // Приборыг и cиcтeмыl ynрaвлeния. - 1989. - M 7. - С. 31-32. 12. Марьямова И.И., Гoртыlнcкaя И.Д., Яцюк Ю.С. // Физиче^ая электроника. - 198б. - Bi^in. 32. - С. 78-82. 13. Maryamova I., Druzhinin A., Lavitska E., Gortynska I., Yatzuk Y. // Sensors and Actuators. - 2000. - Vol. A 85. - P. 153-157. 14. Druzhinin A., Hortynska I., Maryamova I., Lavitska E., Oszwaldowski M. //Proceedings of SPIE. - 2001. - Vol. 4413. - P. 143-147. 15. A. c. 302589 СССР. Пoлynрoвoдникoвыlй тензорезжтор / A.B. Caндyлoвa, И.И. Марья¬мова, B.М. Рыгбак, Ю.И. Заганяч // Открытия. Изобрет. - 1971. - Бюл. M 15. 16. A. c. 277359 СССР. Пoлynрoвoдникoвыlй тензодатчик / A.B. Caндyлoвa, И.И. Марья¬мова, С. С. Baршaвa, К. С. Щербай, Ю.И. Заганяч // Открытия. Изобрет. - 1970. - Бюл. M 25. 17. A. c. 383121 СССР. Пoлynрoвoдникoвыlй тензорезжтор / A.B. Caндyлoвa, И.И. Марья¬мова, ПЗ. Левченко, П.И. Ocтрoвcкий // Открытия. Изобрет. - 1973. - Бюл. M 23. 18. Попова Г.Л., Caндyлoвa A.B., Заганяч Ю.И., Марьямова И.И. // Пoлynрoвoдникoвaя тензометрия: Материалыг III Bcecoюз. нayчн.-тexн. конф. - Hoвocибирcк, 1969. - Кн. 2. - С. 337-347. 19. Сандулова А.В., Заганяч Ю.И., Яцюк Ю.С., Марьямова И.И. // Полупроводниковая тензометрия: Материалы IVВсесоюз. конфер. - Львов, 1970. - С. 204-209. 20. Сандулова А.В., Заганяч Ю.И., Яцюк Ю.С. и др. // Полупроводниковая тензо¬метрия: Материалыг IVВсесоюз. конфер. - Львов, 1970. - С. 192-197. 21. А. с. 883680 СССР. Преобразователь давления /Ю.И. Заганяч, В.А. Жилка, И.И. Марья¬мова и др // Открытия. Изобрет. - 1981. - Бюл. № 43. 22. Заганяч Ю.И., Марьямова И.И., Иващук Т.М., Кутраков А.П., Полищук О.А. // Приборыг и системыг управления. - 1984. - С. 31-32. 23. Заганяч Ю.И., Жилка В.А., Иващук Т.М. //Приборыг и системыг управления. -1981. - № 1. 24. Заганяч Ю.И., Марьямова И.И., Яцюк Ю.С., Иващук Т.М. // Приборыг и системыг управления. - 1981. - № 3. - С. 25-26. 25. Дружинин А.А., Марьямова И.И., Лавитская Е.Н., Кутраков А.П. // Датчики и системыг. - 2001. - № 6. - С. 2-7. 26. Заганяч Ю.И., Марьямова И.И., Охрименко Ю.А. // Космические исследования на Украине. - К., 1981. - Выгп. 15. - С. 40-44. 27. Марьямова И.И., Каретникова Е.Н., Яцюк Ю.С. // Физическая электроника. - 1983. - Выгп. 26. - С. 28-32. 28. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I. // Sensors and Actuators. - 1999. - Vol. B 58. - P. 415-419. 29. Марьямова И.И., Сыгдир Б.И., Екимов Ю.С. // Приборыг и системыг управления. - 1981. - № 3. - С. 35. 30. Druzhinin A.A., Kostur V.G., Kogut I.T. et al. // Physical and Technological Problems of SOI Structures and Devices. Klumer Acad. Publ. - 1995. - P. 101-105. 31. Voronin V., Druzhinin A., Maryamova I., Kogut I., Pankov Y. // Sensors and Actuators. - 1992. - Vol. А 30. - № 1-2. - P. 143-147. 32. Лавитская Е.Н., Марьямова И.И., Дружинин А.А., Панков Ю.М. // Неорганические материалыг. - 1996. - Т. 32. - С. 1162-1164. 33. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Voronin V. // Sensors and Actuators. - 1997. - Vol. А 61. - P. 400-404. 34. Voronin V., Maryamova I., Druzhinin A., Lavitska E., Pankov Y. //Physical and Techno¬logical Problems of SOI Structures and Devices. Klumer Acad. Publ. - 1995. - P. 281-286. 35. Пат. Украгни № 23103А. П’езорезистивний датчик /Ю.М. Панков, А.О. Дружитн, 1. Й. Мар ’ямова. - 1996. - Бюл. №3. 36. Druzhinin A., Lavitska E., Maryamova I., Kogut I., Khoverko Y. // Journal of Tele- comunications and Information Technology. - 2001. - № 1. - P. 40-45. 37. Druzhinin A., Maryamova I., Lavitska E., Pankov Y. // Sensors and Actuators. - 1998. - Vol. А 68. - P. 229-233.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2002. – №459

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
7_75-91.pdf521,23 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.