Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42853
Title: Кристалічна та доменна структура рідкісноземельних галатів і алюмінатів
Other Titles: Crystal and domain structures of rare-earth gallates and aluminates
Authors: Василечко, Л. О.
Матковський, А. О.
Савицький, Д. І.
Берковський, М.
Бісмайєр, У.
Сольський, І. М.
Вальрафен, Ф.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Інститут Фізики Польської Академії Наук
Гамбурзький Університет
НВП “Карат”
Боннський Університет
Bibliographic description (Ukraine): Кристалічна та доменна структура рідкісноземельних галатів і алюмінатів / Л. О. Василечко, А. О. Матковський, Д. І. Савицький, М. Берковський, У. Бісмайєр, І. М. Сольський, Ф. Вальрафен // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 61–75. – Бібліографія: 63 назви.
Conference/Event: Електроніка
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 548.24; 539.24
Number of pages: 61–75
Abstract: Досліджено кристалічні структури та термічне розширення рідкісно-земельних галатів і алюмінатів та твердих розчинів на їх основі в інтервалі температур 10.. .1300 К. Встановлено загальні закономірності двійникування в кристалах зі структурою типу GdFeO3. Результати можуть бути використані для пошуку нових підкладкових матеріалів для ВТНП плівок та плівок манганітів з магніто- резистивним ефектом. The crystal structures and thermal expansion of rare-earth gallates and aluminates and their solid solutions were investigated in the temperature range 10 K - 1300 K. General rules of twinning were established for the crystal with GdFeO3 type structure. The results can be applied for search of new substrate materials for HTSC films and manganite films with colossal magnetoresistance.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42853
Copyright owner: © Василечко Л. О., Матковський А. О., Савицький Д. І., Берковський М., Бісмайєр У., Сольський І. М., Вальрафен Ф., 2002
References (Ukraine): 1. Koren G., Gupta A., Giess E.A., Segmuller A., Laibowitz R.B. //Appl. Phys. Lett. - 1989. - 54 (11). - P. 1054-1056. 2. Giess E.A., Sandstrom R.L., Gallacher W.J., Gupta A., Shinde S.L., Cook R.F., Cooper E.I., O;Sullivan E.J.M., Roldan J.M., Segmüller A.P., Angilello J. //IBM J. Res. Dev. - 1990. - 34 (6). - P. 916-926. 3. Sasaura M., Miyazawa S., Mukaida M. // J. Appl. Phys. - 1990. - 68 (7). - P. 3643-3644. 4. Kebin L., Zhenzhong Q., Xijun L., Jingsheng Z., Yuheng Z. // Thin Sol. Films. - 1997. - 304 (1-2). - P. 389-391. 5. Ozkaya D., Petjord-Long A.K., Jo M.H., Blamire M.G. // J. Apll. Phys. - 2001. - 89 (11). - P. 6757-6759. 6. Okazaki H., Arakawa A., Asahi T., Oda O., Aiki K. // Solid-State Electron. - 1997. - 41. - P. 263-266. 7. Scheel H.J., Berkowski M., Chabot B. // Physica C. - 1991. -185. - P. 2095-2096. 8. Sasaura M., Miyazawa S. // J. Cryst. Growth. - 1993. - 131. - P. 413-418. 9. Miyazawa S., Sasaura M., Mukaida M. // J. Cryst. Growth. - 1993. - 128. - P. 704-708. 10. Young K.H., Strother D.D. //Physica C. - 1993. - 208 (1-2). - P. 1-6. 11. Гришин A.M., Гусаков Г.В., Мухин A.Б., Старостюк Н.Ю., Савицкий Д.И., Сыгво- ротка И.М. // Письма в ЖЭТФ. - 1993. - 57 (8). - С. 498-502. 12. Tsukada I., Uchinokura K. // J. Superconductivity. - 1994. - Vol. 7 (1). - P. 227-229. 13. Ishihara N., Matsuda H., Azmi Bin Bustam M., Takita Y. // J. Am. Chem. Soc. - 1994. - 116(9). - P. 3801-3803. 14. Slater P.R., Irvine J.T.S., Ishihara T., Takita Y. // J. Solid State Chem. - 1998. - 139. - P. 135-143. 15. Lybye D., Poulsen W.F., Mogensen M. //Solid State Ionics. - 2000. -128 (1-4). - P. 91-103. 16. Ishihara N., Matsuda H., Takita Y. // Solid State Ion. Diffus. React. - 1996. - 86—88. - P. 197-201. 17. Ishihara T., Furutani H., Arikawa H., Honda M., Akbay T., Takita Y. // J. Electrochem. Soc. - 1999. - 146 (5). - P. 1643-1649. 18. Liu Z.G., CongL.G., HuangX.Q., Lu Z., Su W.H. // J. Alloys and Comp. - 2001. - 314 (1-2). - P. 281-285. 19. Pedrini C., Bouttet D., Dujardin C., Moine B., BillH. // Chem. Phys. Lett. - 1994. - 220. - P. 433-436. 20. Moses W.W., Derenzo S.E., Fedorov A., Korzhik M., Gektin A., Minkov B., Aslanov V. // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1995. - 42 (4). - P. 275-279. 21. Lempicki A., Brecher C., Wisniewski D., Zych E., Wojtowicz A.J. //IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1996. - 43. - P. 1316-1320. 22. Mares J.A., NiklM., Chval J., Dajinei I., Locoq P., Kvapil J. // Chem. Phys. Lett. - 1995. - 241. - P. 311-316. 23. Mamкoвcький A.О. Mamepіaли квантової електроніки. - Львів, 2OOO. 24. Noginov M.A., Loutts G.B., Jones D.E., Turney V.J., Rachimov RR, Herbert L., Truong A. // J. Appl. Phys. - 2002. - 91 (2). - P. 569-575. 25. Suchocki S., Arizmendi L., Durygin A., Berkowski M. //Phys. Rev., B. - 1999. - 60 (24). - P. 16415-16422. 26. Loutts G.B., Warren M., TaylorR., Rachimov R.R., Ries H.R., Miller G., Noginov M.A., Curley M., Noginova N., Kuchtarev N., Caulfield H.J., Venkateswarlu P. // Phys. Rev. B. - 1998. - 57 (7). - P. 3706-3709. 27. Kimura K., Numazawa T., Sato M., Ikeya T., Fukuda T. // J. Appl. Phys. - 1995. - 77 (1). - P. 432-434. 28. Waku Y., Nakagawa N., Wakamoto T., Ohtsubo H., Shimizu K., Kohotoku Y. //Nature. - 1997. - 389. - P. 49-51. 29. Савицкий Д.И., Убизский С.Б., Василечко Л.О., Mamкoвcкий A.О., Сыгворотка KM. // Функциональные материалыг. - 1994. - 1 (2). - С. 55-59. 30. Савицкий Д.И., Убизский С.И., Василечко Л.О. Mamкoвcкий A.О., Сыгворотка И.M. // Кристаллография. - 1996. - 41 (5). - C. 902-906 31. Matkovskii A.O., Savytskii D.I., Vasylechko L.O., Kuzma M. // Inst. Phys. Conf. Ser. Paper presented at DRIP 97. - 1997. -160. - P. 433-436. 32. Vasylechko L., Matkovski A., Suchocki A., Savytskii D., Syvorotka I. // J. Alloys and Comp. - 1999. - 286. - P. 213-218. 33. Vasylechko L., Matkovskii A., Savytskii D., Suchocki A., Wallrafen F. // J. Alloys and Comp. - 1999. - 292 (1-2). - P. 57-65. 34. Aleksiyko R, Berkowski M., Byszewski P., Dabrowski B., Diduszko R, Fink-Finowicki J., Vasylechko L.O. // Cryst. Res. Techn. - 2001. - 36 (8-10). - P. 789-800. 35. Senyshyn A., Vasylechko L., Savytskii D., Knapp M., Bähtz C., Bismayer U., Berkowski M., Matkovskii A. //HASYLAB Annual Report. - 2001. - 1. - P. 517-518. 36. Vasylechko L., Savytskii D., Schmidt H., Bismayer U., Matkovskii A., Berkowski M. // HASYLAB Annual Report. - 2000. -1. - P. 615-616. 37. Ubizskii S.B., Vasylechko L.O., Savytskii D.I., Matkovskii A.O., Syvorotka I.M. // Supercond. Sci. Technol. - 1994. - 7. - P. 766-772. 38. Savytskii D.I., Ubizskii S.B., Vasylechko L.O., Syvorotka I.M., Matkovskii A.O. // Acta Physica Polonica, A. - 1997. - 92 (1). - P. 231-236. 39. Vasylechko L., Akselrud A., Morgenroth W., Bismayer U., Matkovskii A., Savytskii D. // J. Alloys and Comp. - 2000. - 297. - P. 46-52. 40. Savytskii D.I., Matkovskii A.O., Solskii I.M., Wallrafen F., Suchocki A,, Vasylechko L.O., Ubizskii S.B. // Cryst. Res. Technol. - 2000. - 35 (2). - P. 197-205. 41. Кривчиков А.И., Городилов Б.Я., Колобов И.Г., Эренбург А.И., Савицкий Д.И., Убизский С.Б., Сыворотка И.М., Василечко Л. О. // Физика низких температур. - 2000. - 26 (5). - С. 503-508. 42. Savytskii D., Senyshyn A., Wieteska K., Wierzchowski W., Bismayer U., Vasylechko L., Matkovskii A. // HASYLAB Annual Report. - 2001. -1. - P. 517-518. 43. Savytski D.I., Vasylechko L.O., Berkowski M., Fink-Finowicki J., Aleksijko R., Byszewski P., Matkovskii A.O. //Ferroelectrics. - 2000. - 254. - P. 121-134. 44. Berkowski M., Fink-Finowicki J., Byszewski P., Diduszko R., Kowalska E., Aleksijko R., Piekarczyk W., Vasylechko L.O., Savytskij D.I., Perchuc L., Kapusniak J. // J. Cryst. Growth. - 2001. - 222. - P. 194-201. 45. Василечко Л. //Вісн. Львів. ун-ту. Сер. Хім. - 2001. - 40. - С. 98-103. 46. Vasylechko L., Berkowski M., Matkovski A., Savytskii D., Fink-Finowicki J. //Mat. Res. Bull. - 2000. - 35 (3). - P. 333-340. 47. Vasylechko L., Berkowski M., Matkovskii A., Piekarczyk W., Savytskii D. // J. Alloys and Comp. - 2000. - 300-301. - P. 471-474. 48. Berkowski M., Fink-Finowicki J., Piekarczyk W., Perchuc L., Byszewski P., Vasylech¬ko L.O., Savytskii D.I., Mazur K., Sass J., Kowalska E., Kapusniak J. // J. Cryst. Growth. - 2000. - 209. - P. 75-80. 49. Savytskii D.I., Berkowski M., Vasylechko L.O., Fink-Finowicki J., Matkovskii A.O. // Cryst. Res. Technol. - 2000. - 35 (1). - P. 53-63. 50. Vasylechko L., Savytski D., Matkovski A., Berkowski M., Knapp M., Bismayer U. // J. Alloys and Comp. - 2001. - 328 (1-2). - P. 264-271. 51. Василечко Л.О, Редько H.А, Савицький Д.1, Фадеев С.В. // Вісн. Ну Львівська політехніка ”. - 2000. - № 401. - С. 57-62. 52. Vasylechko L., Niewa R., Borrmann H., Knapp M., Savytskii D., Matkovski A., Bismayer U., Berkowski M. //Solid State Ionics. - 2001. -143. - P. 219-227. 53. Василечко Л. О., Фадеев С. В., Редько H., Берковський M. // Вісн. НУ ‘Львівська Політехніка ”. - 2002. 54. Vasylechko L., Knapp M., Savytskii D., Bismayer U., Berkowski M., Matkovskii A. // HASYLAB Annual Report. - 2000. - 1. - P. 573-574. 55. Vasylechko L., Savytskii D., Senyshyn A., Bähtz C., Knapp M., Bismayer U., Berkowski M., Matkovskii A. //HASYLAB Annual Report. - 2001. -1. - P. 549-550. 56. Frukacz Z., Lukasiewicz T., Matkovskii A., Pracka I., Sugak D., Solskii I., Vasylechko L., Durygin A. // J. Cryst. Growth. - 1996. - 169 (1). - P. 98-101. 57. Savytski D.I., Vasylechko L.O., Matkovskii A.O., Solskii I.M., Suchocki A., SugakD.Yu., Wallrafen F. // J. Cryst. Growth. - 2000. - 209. - P. 874-882. 58. Matkovskii A.O., Savytskii D.I., Sugak D.Yu., Solskii I.M., Vasylechko L.O., Zhydachevskii Ya.A., Mond M., Petermann K., Wallrafen F. // J. Cryst. Growth. - 2002. - 241. - P. 455-462. 59. Vasylechko L., Savytskii D., Schmidt H., Bismayer U., Matkovskii A., Loutts G., Paulmann C. // HASYLAB Annual Report. - 2000. - 1. - P. 599-600. 60. Vasylechko L., Akselrud L., Matkovskii A., Sugak D., Durygin A., Frukacz Z., Luka¬siewicz T. // J. Alloys and Comp. - 1996. - 242 (1-2). - P. 18-21. 61. Janovec V. // Czech. J. Phys. B. - 1972. - 22. - P. 974-994. 62. Sapriel J. //Phys. Rev. B. - 1975. - 12 (11). - P. 5128-5140. 63. Классен-Неклюдова M.B. Mexaничecкoe двойникование кристаллов. - M., 196O.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №459

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
6_61-75.pdf1,08 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.