Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42851
Назва: Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовах
Інші назви: Sensors and devices for measurement of magnetic field in extremal couditions
Автори: Большакова, І. А.
Приналежність: Керівник Лабораторії магнітних сенсорів Центру “Кристал”
Бібліографічний опис: Большакова І. А. Сенсори та прилади для вимірювання магнітних полів в екстремальних умовах / І. А. Большакова // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 29–49. – Бібліографія: 6 назв.
Конференція/захід: Електроніка
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
УДК: 546.682.86:548.522+621.382.61
Кількість сторінок: 29–49
Короткий огляд (реферат): Представлений неперервний ряд досліджень із створення оригінальних магнітовимірювальих засобів: теоретичні та експериментальні дослідження технології вирощування та легування напівпровідникових кристалів А3В5, дослідження їх електрофізичних властивостей та радіаційної стійкості, створення на їх основі мікросенсорів магнітного поля та магнітовимірювальних приладів, використання їх в техніці, космосі та устаткуванні фізики високих енергій. Presents continuous set of investigations and works on creation of original magnetic measurement facilities: theoretical and experimental investigations of A3B5 semiconductor crystal growth and doping technology, investigations of their electrophysical properties and radiation resistance, creation of magnetic field microsensors and measuring devices, their application in technique, outer space and high energy physics equipment.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42851
Власник авторського права: © Большакова І. А., 2002
Перелік літератури: 1. Controlled growth of oriented amorphous silicon nanowires via a solid-liquid-solid (SLS) mechanism /D.P.Yu, Y.J.Xing,Q.L.Hang and other //Physica. - 2001. - E 9. - P. 305-309. 2. Brudnyi V.N., Grinyew S.N., Stepanov V.E. Physica B. Cond. Matter. - 1995. - 212. - P. 429. 3. Bolshakova I. Improvement of radiation resistance of magnetic field microsensors. Sensors & Actuators: A. Physical. - 1999. - 76. - P. 152-155. 4. Bolshakova I., Koptsev P., Melnyk I., Moskovets M., Krukovsky S., Zayachuk D. Control of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex doping // Crystal Research and Technology. - 2001. Vol. 36. - № 8-10. - P. 989-997. 5. Ивлева B.C., Ольховская Т.И., Слободинова E.H., Хашимов Ф.Р. / Влияние легирую¬щих примесей на изменение свойств монокристаллов антимонида индия // Электрон. тех. Сер. 6: Материалы. - 1982. - В.2(883). - С. 4. 6. Колин Н.Г., Освенский В.Б., Рыгтова H.C., Юрова E.C. Электрические свойства ар- сенида индия, облученного быгстрыгми нейтронами // Физика и химия обработки матери¬алов. - 1986. - № 6. - С. 3-8.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2002. – №459

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
4_29-49.pdf1,49 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.