Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42660
Title: Спектр носіїв δ-легованих кремнієм шарів GaAs (100)
Other Titles: Spectrum of carriers of δ-doped by silicon layers GaAs (100)
Authors: Рудницький, С. В.
Пелещак, P. M.
Affiliation: Дрогобицький державний педагогічний університет ім. І. Франка
Bibliographic description (Ukraine): Рудницький С. В. Спектр носіїв δ-легованих кремнієм шарів GaAs (100) / С. В. Рудницький, P. M. Пелещак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 77–83. – Бібліографія: 10 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: УДК 535.37:537.311.33
Number of pages: 77–83
Abstract: У роботі розв’язана задача на знаходження енергетичного спектра GaAs періодично δ-легованого кремнієм. Розв’язання виконане в межах методу дефор¬маційного потенціалу. Потенційний профіль моделювався δ-функцією Дірака. Отримано кількісні залежності параметра деформації (emech) для GaAs і Si від тов¬щини δ-шару (Lw) та міжшарової відстані (Ь). Ці залежності виявилися спадними з ростом Lw та зростаючими з ростом Ь. Пояснено наявність у спектрах фотолю¬мінесценції δ-лінії в діапазоні hv = 1,47 - 1,48 еВ, зокрема, при Lw= 10 А досягнуто задовільного збігу з експериментальними даними з фотолюмінесценції. Energetical spectra of δ-doped GaAs by Si have been solved. The solve has been studied by deformation’s potencial method. We chosen Dirack’s δ-function for potential profile. It is found Lw- (thickness of δ-layer) and b- (thickness of GaAs layer) dependences of deformation’s parametrs (e mech), they decrease when Lw increases and increase when b increases. It is found Lw- and b- dependences of energetical spectra. They decrease for electron’s level and decrease for hole’s level. It is explain appearance in photoluminescence spectra δ-band near hv= 1.47*1.48eV. We received results similar to experi¬ment’s near Lw= 10А.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42660
Copyright owner: © Рудницький С. В., Пелещак P. M., 2001
References (Ukraine): 1. Ploog K., Fischcer A., Künzel H. // J. Electrochem. Soc. 1981. 128, № 2. P. 400 - 410. 2. Koenraad P.M., Blam F.A.P., Langerak C.J.G.M., Leys M.R. // Semicond. Sci.Techn. 1990. δ, № 8. P. 861 - 866. 3. Wood C. E. C., Metze G., Berry J., Eastman L. F. // J. Appl. Phys. 1980. δ1, № 1. P. 383 - 387. 4. Usui A., Watanabe H. // J. de Phis. 1987. 48. Suppl. Cδ. P. 21 - 28. δ. Шик А.Я. Полупроводниковые структуры с δ-слоями. // ФТП. 1992. 26, №12. C. 1161 - 1179. 6. Мокеров В.Г., Федоров Ю.В., Гук А.В., Галиев Г.Б., Страхов В.А., Яременко Н.Г. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. // ФТП. 1998. 32, №9. C. 1060 - 1063. 7. Васильев А. М., Копьев П. С., Надточий М.Ю., Устинов В.М. Переходы с участием размерно-квантованых подзон в спектре фотолюминесценции δ-легированого GaAs. // ФТП. 1989. 23, № 12. С. 1233 - 1237. 8. Бачеріков Ю.Ю., Нечипорук Б.Д., Охріменко О.Б., Родіонов В.С., Рудько Г.Ю., Юхимчук В.А. // УФЖ. 1998. 43, № 3. C. 329 - 330. 9. Chris G., Van de Walle //Phys. Rev. B. 1989. 39, № 3. P. 1871 - 1883. 10. Гусейнов Н.М, Гашимзаде Н.Ф., Гаджиев А.Т. Полярон в сверхрешетке с δ-образными потенциалами. // ФТТ. 1997. 39, № 1. C. 181 -184.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15_77-83.pdf208,94 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.