Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42658
Title: Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs
Other Titles: Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical properties GaAs epitaxial layers
Authors: Заячук, Д. М.
Круковський, С. І.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Заячук Д. М. Вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs / Д. М. Заячук, С. І. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 73–76. – Бібліографія: 9 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 73–76
Abstract: Досліджено вплив домішок рідкісноземельних елементів Gd і Yb на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію. Показано, що легування вказаними домішками вихідних розплавів спричиняє зниження концентрації вільних електро¬нів у вирощуваних шарах з подальшою інверсією типу їх провідності з електронної на діркову по досягненні концентрацією домішки критичного рівня Ncr, який залежить від сорту домішки. Встановлено, що для Yb Ncr становить значення порядку 0,04 ат. %, а для Gd - порядку 0,022 ат. %. Аналізуються можливі причини і механізми впливу досліджуваних домішок на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. Influence of Gd and Yb rare earth impurities on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown from gallium solution-melts by LPE method is investigated. It is shown that doping of initial melts by indicated impurities causes to decreasing of free electron concentration into grown layers. The layer conductivity inverts from n- to p-type when the impurity concentration amounts to critical value Ncr depended from impurity kind. It is established that Ncr for Yb is equal to 0,04 at. % and for Gd 0,022 at. %. The possible reasons and mechanisms of investigated impurity influence on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers are analysed.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42658
Copyright owner: © Заячук Д. М., Круковський С. І., 2001
References (Ukraine): 1. Schubert E.F., Fisher A., Ploog K. //Electron. Lett. 1985. 21. P. 411 - 414. 2. Horikoshi Y., Ploog K. // Appl. Phys. 1985. 37. P. 47 - 54. 3. Bolshakova I.A., Moskovets T.A., Krukovsky S.I. and Zayachuk D.M. //Mater. Sci. & Engineering, 2000, B69-70. P. 441 - 443. 4. Мастеров В.Ф., Захаренков Л.Ф. // ФТП. 1990. 24. С. 610 - 629. 5. Susumu K., Toshimaso A., Haruo N. // J. Cryst. Growth. 1983. 64. P. 433 - 440. 6. Шимияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. Кишинев, 1976. 7. Стрельченко С.С., Лебедев 3 5 В.В. Соединения А В . М., 1984. 8. Беспалов В.А., Елкин А.Г., Журкин Б.Г., Квит А.В., Октябрьский С.Р., Перешагин Г.А. //Краткие сообщения по физике. 1987. 9. С. 32 - 34.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
14_73-76.pdf126,33 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.