Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42656
Title: Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb
Other Titles: Control of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex doping
Authors: Большакова, І. А.
Мельник, І. І.
Московець, Т. А.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Большакова І. А. Дослідження впливу легування домішковими комплексами на основі Sn, Сг, Mn, Аl, на електрофізичні властивості мікрокристалів InSb / І. А. Большакова , І. І. Мельник, Т. А. Московець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 47–54. – Бібліографія: 4 назви.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 546.682.86+621.382.61
Number of pages: 47–54
Abstract: Для підвищення радіаційної стійкості чутливих елементів магнітних мікросенсорів на основі мікромонокристалів InSb розроблено основи технології їх комплексного металургійного легування. Досліджено вплив легування мікрокристалів InSb домішками Sn, Au, Аl, Сг і Мn на електрофізичні параметри виготовлених на їх основі чутливих елементів магнітних мікросенсорів, їх часову стабільність та стійкість до опромінення швидкими нейтронами. Встановлено, що для мікрокристалів InSb необхідний діапазон концентрації вільних носіїв заряду від рівня власної провідності до 1019 см -3 забезпечує домішка Sn, а додаткове введення домішки Сг сприяє підвищенню рівня радіаційної стійкості та часової стабільності параметрів мікрокристалів InSb. Показано можливість використання комплексного металургійного легування InSb для створення давачів Холла, які можуть ефективно працювати в умовах підвищеної радіації.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42656
Copyright owner: © Большакова І. А., Мельник І. І., Московець Т. А., 2001
References (Ukraine): 1. Bolshakova I., Golyaka R. // Abstract of 16th International Conference on Magnet technology, Ponte Vedra Beach, FL, USA. 1999. P. 117. 2. Bolshakova I. // Sensors & Actuators: A. Physical. 1998. 68. P. 282 - 285. 3. Masterov F.N. // Semiconductors. 1990. 24. P. 383 - 396. 4. Jarmoluk N.I., Vigdorovich V.N., Kolin N.G., Osvenskyi V.B., Kharchenko V.A., Holodnyi L.P. // Semiconductors. 1980. 14. P. 773 - 775.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
10_47-54.pdf246,75 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.