Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах
Other Titles: Studies of the strain effect on the inmpurity conduction ingermanium whiskers at cryogenic temperatures
Authors: Дружинін, А. О.
Лавитська, О. М.
Мар'ямова, І. Й.
Стасюк, Н. М.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах / А. О. Дружинін , О. М. Лавитська, І. Й. Мар'ямова, Н. М. Стасюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 55–61. – Бібліографія: 7 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 55–61
Abstract: Досліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.
Copyright owner: © Дружинін А. О., Лавитська О. М., Мар'ямова І. Й., Стасюк Н. М., 2001
References (Ukraine): 1. Voronin V., Maryamova I., Zaganyach Y. et al. Sensors and Actuators. 1992. 30A . P. 27 - 33. 2. Lavitska E. In: 3rd International Workshop on Thermal Investigations of IC's and Microstructures, Cannes, France, Sept. 21 - 23, 1997. Collection of papers, 1997, P. 72 - 74. 3. Шкловский В.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников, Москва: Наука, 1979. 4. Chroboczek J.A., Pollak F.H., Staunton H.F. Philosophical Magazine. 1984. 50. P. 113 - 156. 5. Pollak F.H. Physical Review. 1965. 138. P. A618 - A631. 6. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. Москва, Наука, 1979, 342 С. 7. Maryamova I., Druzhinin A., Lavitska E. et al. Sensors and Actuators. 2000. A85. P. 153 -156.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
11_55-61.pdf222,28 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.