Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42653
Title: Вплив орієнтації та якості обробки підкладок на резонансні властивості епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату
Other Titles: The influence of orientation and quality substrates processing on resonance properties of epitaxial iron-yttrium garnet films
Authors: Yushchuk, SI.
Yuryev, S. O.
Nikolaychuk, V. J.
Osypyshyn, L. I.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Вплив орієнтації та якості обробки підкладок на резонансні властивості епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату / SI. Yushchuk, S. O. Yuryev, V. J. Nikolaychuk , L. I. Osypyshyn // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 17–21. – Бібліографія: 7 назв.
Conference/Event: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.318:599,23
Number of pages: 17–21
Abstract: Досліджено вплив орієнтації та дефектності підкладок з галій-гадолінієвого гранату (ГГГ) на ширину лінії феромагнітного резонансу (ФМР) епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ). Показано, що найбільш якісними з най¬меншою шириною лінії ФМР є плівки ЗІГ, вирощені на підкладках з ГГГ орієнтації (111). Найбільш негативний вплив на якість плівок ЗІГ справляють підкладки, що мають скупчення дислокацій і включення зерен іридію. Запро¬поновано спосіб обробки підкладок, який дозволяє отримувати плівки товщиною 4,7...5,0 мкм з шириною лінії ФМР 0,3...0,5 Е. Використання в ролі підкладок епі¬таксійних структур з ферогранатовою плівкою іншого складу дозволяє вирощу¬вати шари ЗІГ товщиною до 70 мкм. The influence of orientation and the defect substrates from gallium-gadolinium garnet (GGG) on ferromagnetic resonance line width (FMR) of epitaxial iron-yttrium garnet films (YIG) was investigated. It is shown that the best quality with minimum FMR line width are YIG films growing on GGG substrates with (111) orientation. The most negative influence on the quality of YIG films make the substrates with accu¬mulation of dislocations and including the iridium parcels. The method of substrates processing which allow to get the films with 4,7...5,0 p,m thickness and 0,3...0,5 Oe FMR line width is proposed. The use of the epitaxial structure with the ferrogarnet film in different compositions as substrates allows to grow YIG layers with 70 ^m thickness.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42653
Copyright owner: © Yushchuk SI., Yuryev S. O., Nikolaychuk V. J., Osypyshyn L. I., 2001
References (Ukraine): 1. Носенко A.C., Волженская Л.Г., Падляк Б.В., Зоренко Ю.В. // Укр. фіз. жури. 1983. 28. № 12. C. 1850 — 1853. 2. Karpasyuk V.K., Bulatov MF. // IEEE Transact. on Magnet. 1994. 30. № 6. Part 1. P. 4344 — 4346. 3. Костюк П.С., Кузъмик А.Г., Матковский A.О., Ворошило Г.И., Шевчук П.И., Сыворотка И.М. // Физическая электроника. 1987. 35. С. 100 — 105. 4. Ющук С.И., Юръев С.А., Костюк П.С. //Неорганические материалы. 1997. 33. № 7. С. 881 — 883. 5. Калиникос Б.А., Ковшиков Н.Г., Кожусъ Н.В. // Тез. докл. VIII Всесоюзн. школы-семинара “Новые магнитные материалы микроэлектроники”. Донецк. 1982. С. 319. 6. Ющук С.1. // Укр. фіз. журн. 1999. 44. № 9. С. 1099 — 1101. 7. Варшава С. С., Юръев С.А., Ющук С.И. // Тез.докл.ІХ Национал. конф. по росту кристаллов НКРК-2000. Москва. ИКРАН. 2000. С. 327.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4_17-21.pdf667,51 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.