Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42652
Title: Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності
Other Titles: The temperature stabilization of pulse transistor vhf power amplifier
Authors: Семенюк, А. Й.
Юрченко, Л. Д.
Грозь, М. М.
Смеркло, Л. М.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Термостабілізація імпульсного транзисторного підсилювача потужності / А. Й. Семенюк , Л. Д. Юрченко , М. М. Грозь, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 41–46. – Бібліографія: 3 назви.
Conference/Event: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.375.029.64
Number of pages: 41–46
Abstract: Розглянуто особливості розробки потужних імпульсних НВЧ транзисторних підсилювачів у широкому діапазоні температур. Вибрано принцип термостабілізації і запропоновано схему термостабілізації імпульсного потужного НВЧ підсилювача потужності. Наведено результати експериментальних досліджень. The details of the development of the microwave power pulse transistor amplifiers have been considered with regard to a wide temperature range. The principle of heat setting has been defined. The heat setting circuit of the power amplifier has been designed. The results of the experimental investigation have been presented.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42652
Copyright owner: © Семенюк А. Й., Юрченко Л. Д., Грозь М. М., Смеркло Л. М., 2001
References (Ukraine): 1. B.C. Руденко, В.И. Сенько, В.В. Трифонюк, Е.Е. Юдин. Промышленная электроника. — К.: Техніка, 1979. 2. Л.И. Ленец, Н.Б. Петешин. Термостабилизация режима транзистора в широком диапазоне температур. - Полупроводниковая электроника в технике связи. Сборник статей под ред. И.Ф. Николаевского. 1986. 26. С.46 — 50. 3. Biasing Consideration for Linear (Class A, AB) Bipolar Power Transistors. — RF and Microwave Semiconductors. Discrete, Monolithic and Multifunction/ —1995, M/A COM. INC. P. 18 — 68 —18 — 70.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
9_41-46.pdf144,13 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.