Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42647
Title: Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію
Other Titles: Investigation of submicron Si whisker growth
Authors: Островський, І. П.
Фружинський, М. С.
Рудий, І. 0.
Клімовська, А. І.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Дослідження вирощування субмікронних ниткоподібних кристалів кремнію / І. П. Островський, М. С. Фружинський, І. О. Рудий, А. І. Клімовська // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 11–16. – Бібліографія: 9 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 11–16
Abstract: Методом хімічних транспортних реакцій (ХТР) у закритій галоїдній системі вирощені субмікронні ниткоподібні кристали (НК) Si на кремнієвих підкладках, попередньо покритих плівкою Au. Золото відігравало роль ініціатора росту НК. Температури зони джерела та кристалізації змінювалися в межах відповідно 650 - 930 °С та 400 - 700 °С. Показано, що зі зниженням температури кристалізації від 700 °С до 500 °С відбувається зменшення діаметрів НК від 0,2 - 5 мкм до 0,1 - 0,5 мкм та відповідне зменшення швидкості їх аксіального зростання. Проведено електронографічне дослідження кристалічної структури субмікронних НК. Встановлено ефект зменшення параметра гратки НК Si при зменшенні їх діаметрів від 0,5 до 0,15 мкм. Зміна параметра гратки у кристалах найменшого діамера 0,15 мкм становить 5 %. By chemical transport reaction (CTR) method in sealed halogen system submicron Si whiskers on Si substrate were grown. The substrate was previously covered with film of Au used as initiator of the whisker growth. The temperatures of evaporation zone and the temperatures of crystallization zone were 650 - 930 °С and 400 - 700 °С respectively. Reduction of the crystallization temperature from 700 °С to 500 °С was shown to cause the decrease of the whiskers’ diameter from 0,2 - 5 ^m to 0, 1 - 0,5 ^m respectively as well as correspondent reduction of the velocity of the whisker axial growth. Crystal structure of submicron whiskers was studied by use of electronograph. The decrease of the whisker lattice parameter with reduction of the whisker diameter from 0,5 to 0,1 ^m was observed. The value of the lattice parameter change in the whiskers of the least diameter 0,15 ^m was found to be 5 %.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42647
Copyright owner: © Островський І. П., Фружинський М. С., Рудий І. 0., Клімовська А. І., 2001
References (Ukraine): 1. Klimovskaya A.I., Ostrovskii I.P., Ostrovskaya A.S. // Phys. Stat.Solid A. 1996. 153. P. 465. 2. Klimovskaya A.I., Ostrovskii I.P., Ostrovskaya A.S., Baitsar R.I. // J.Phys: Condens.Matter. 1995. 7. P. 1229. 3. Gule E.G., Rudko G.Yu., Klimovskaya A.I. et.al. //Proceeding SPIE. 1995. 2648. P. 378. 4. Hirata M., Tatsumi Yu., Miyamoto Yo. // Abstract of Int. Conf. on Crystal Growth, Moskov, 1985. 5. Гиваргизов Е.И. Рост, нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М., 1977. 6. Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys.Letters. 1964. 4. P. 89. 7. Сандулова A. В., Богоявленский П., Дронюк М. И. // Доклады АН СССР. 1963. 53. С. 82, 8. Щетинин A. A. и др. //Метрология. 1991. 5. С. 3. 9. Miyamoto Y., HirataM. //Jap. J. Appl. Phys. 1975. 14. P. 1647.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №430

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3_11-16.pdf406,99 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.