Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42623
Назва: Modeling of concentration profiles of charge carriers in inhomogeneous epitaxial layers
Автори: Pavlysh, V.
Danchyshyn, I.
Korzh, R.
Dronyuk, M.
Приналежність: Lviv Polytechnic National University
Бібліографічний опис: Modeling of concentration profiles of charge carriers in inhomogeneous epitaxial layers / V. Pavlysh, I. Danchyshyn, R. Korzh, M. Dronyuk // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 458 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 267–271. – Bibliography: 2 titles.
Журнал/збірник: Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
Теми: semiconductor
model
growth
electroconductivity
Кількість сторінок: 267–271
Короткий огляд (реферат): The new approach to the construction of the microtechnology physical-technological models is proposed in the present work. This approach allows us to analyse the processes of the IC and hybride IC epitaxial, resistive and conductive structures growth and formation of their electrophysical and mechanical parameters. We elaborated the model describing charge carriers concentration profile of inhomogeneous epitaxial structures that were grown under different technological conditions.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42623
Власник авторського права: © V. Pavlysh, I. Danchyshyn, R. Korzh, M. Dronyuk, 2002
Перелік літератури: 1. Voronin V., Pavlysh V., Dronyuk M, Danchyshyn I. Modelling of Epitaxial Films and Structures, Growing of Gas Phase //First Int. Conference on Epitaxial Crystal Growth. April 1- 7, 1990, Budapest, (.351-353. 2. Pavlysh V., Korzh R., Dronyuk M., Danchyshyn I. Integrated Circuit Film Layers Characteristics Modelling //Abstracts, Information & Participants, Ukrainian- French Symposium "Condensed Matter: Scien"e and Industry", Lviv, February 20-27, 1993, (.56.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №458

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
51_267-271.pdf72,51 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.