Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42618
Назва: Investigation of indium antimonide microcrystals irradiated with fast neutrons
Автори: Bolshakova, I.
Leroy, C.
Kumada, M.
Приналежність: Lviv Polytechnic National University
Laboratory R-J.A.-Levesque, Montreal University, Canada
National Institute of Radiological Sciences, Japan
Бібліографічний опис: Bolshakova I. Investigation of indium antimonide microcrystals irradiated with fast neutrons / I. Bolshakova, C. Leroy, M. Kumada // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 458 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 241–246. – Bibliography: 4 titles.
Журнал/збірник: Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Дата публікації: 2002
Видавництво: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Країна (код): UA
Місце видання, проведення: Львів
Кількість сторінок: 241–246
Короткий огляд (реферат): Microcrystals of III-V semiconductor compound indium antimonide were obtained by means of complex doping in the growth process. Such compounds are stable after irradiation with fast neutron fluences up to 1016 n⋅cm-2. Magnetic field microsensors developed on their base are applied in magnetic measuring systems for charged particle accelerators and in the space instrumentation building.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42618
Власник авторського права: © I. Bolshakova, C. Leroy, M. Kumada, 2002
Перелік літератури: [1] Bolshakova I. Improvement of radiation resistance of magnetic field microsensors // Sensors & $ % :" – 1999. - V.76. - P.152-155. [2] Bolshakova I., Moskovets T., Krukovsky S., Zayachuk D. Radiation resistant microcrystals and thin films of III-V semiconductors // Materials Science & Engineering. – 2000. – B 69-70. - P. 441-443. [3] Bolshakova I., Koptsev P., Melnyk I., Moskovets M., Krukovsky S., Zayachuk D. Control of parameters of III-V compound microcrystals and epitaxial layers by means of complex doping // Crystal Research and Technology. - 2001. V. 36. - )-10. – P. 989-997. [4] Zaitov F., Isayev F., Polyakov A., Kuzmin A. Influence of penetrating radiation on the properties of indium antimonide and indium arsenide. – Baku, 1984. – 205 p.
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №458

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
46_241-246.pdf189,97 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.