Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42508
Title: Електронна енергетична структура твердих розчинів SixGe1-x
Other Titles: Electron energy of the SixGe1-x solid solutions
Authors: Сиротюк, C. B.
Кинаш, Ю. Є.
Краєвський, С. Н.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Сиротюк C. B. Електронна енергетична структура твердих розчинів SixGe1-x / С. В. Сиротюк, Ю. Є. Кинаш, С. Н. Краєвський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 112–120. – Бібліографія: 23 назви.
Conference/Event: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 537.311.322
Number of pages: 112–120
Abstract: Розраховано електронні енергетичні спектри Si, Ge і твердих розчинів SixGe1-x у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдо- потенціалів. Виявлено, що в околі концентрації Si x=0,25 зонні енергії електронів провідності у долинах L1c та X1c відрізняються тільки на соті частки еВ, тобто отримується багатодолинний напівпровідник, у якому ширина забороненої зони менша від аналогічної у чистому Si, але більша від такої у чистому Ge. The electronic energy bands of Si, Ge and solid solutions SixGe1-x have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in Si and Ge obtained here are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach. We found that in the vicinity of Si concentration x=0.25 the band energies of conduction electrons at L1c and X1c differs each other by 10-2 eV, and therefore we deal with multivalley semiconductor, in which the band gap is less than in pure Si and greater than in pure Ge.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42508
Copyright owner: © Сиротюк C. B., Кинаш Ю. Є., Краєвський С. Н., 2001
References (Ukraine): 1. Aoki N., Nara K., Ochiai Y. // Phys. Stat. Sol. (b), 2000. - 218. - P. 5-9. 2. Байцар P.I., Варшава C.C., Островський І.П. // Електроніка, 1999. - №382.- C. 3-7. 3. G. Boehm and K. Unger // Phys. Stat. Sol. (b) 1999. - 216.-P. 961-973. 4. 4. Zhu X, Louie S.G.// Phys. Rev. B., 1991. - 43, №17. - P. 14142-14156. 5. Сиротюк C.B. //Електроніка, 1998. -№357.- C.74-76. 6. Cuротюк C.B., Кинаш Ю.Є., Краєвський C.H. // Електроніка, 1999. - №382.- C.74-78. 7. Cuротюк C.В., Кинаш Ю.Є., Краєвський C.H. // Електроніка, 2000. - №397.- C.126-130. 8. Huzinaga S., Klobukowski M. // J. Mol. Structures, 1988. - 167. - P.1-210. 9. Tyler J.M., Norwood T.E., Fry J.L. // Phys. Rev., 1970. -№1. - P.2 97-304. 10. Lafon E.E. // J.Comput. Phys. 1989. -83. -P. 185-200. 11. SyrotyukSV., Kynash Yu.E, Sobchuk I.S. // Phys.Stat.Sol.(b) 1997. - 200. №1.-P.129-136. 12. Гурский 3.A., Cuротюк C.B. Препринт №84-71P, Инст. теор. физики., K. 1984.-21с. 13. Буджак Y.C., Cuротюк C.В., ^бчук I.C. // УФЖ. 1996. - 41, №2. C. 208-211. . 14. Clementi E., Roetti C. // Atomic Data and Nuclear Data Tables, 1974. - 14.- P. 177-478. . 15. Bachelet G.B., Hamann D.R, Schluter M. // Phys. Rev. B., 1982. - 26, - №8. - P.4199-4228. 16. Chelikowsky J.R,WJagener T.J,Weaver J.H.,Jin A. // Phys. Rev. B., 1989. -40, №ü14. - P. 9644-9651. 17. Bachelet G.B., Greenside H.S., Baraff G.A., Schluter M. // Phys.Rev.B.1981. - 24, - №>8. - P. 4745-4752. 18. Rieger M. M., Vogl P. // Phys. Rev. B., 1995. - 52, №23. - P. 16567-16574. 19. Bylander D.M., Kleinman L. // Phys. Rev. B., 1995. - 52, №20. - P. 14566-14570. 20. Godby RWJ, Schluter M., Sham L.J. // Phys. Rev. B., 1988. - 37, №17. - P. 10159-10175. 21. Holland B., Greenside H S, Schluter M. // Phys. Stat. Sol.(b), 1984. - 126,- P. 511-515. 22. Seidl A.,Gorling A.,Vogl P., Majewski J.A // Phys. Rev. B., 1996. - 53, №7. - P. 3764-3774. 23. Fiorentini V., Baldereschi A // Phys. Rev. B., 1996. - 46, №4. - P. 2086-2091.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №423

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20_112-120.pdf207,89 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.