Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42506
Title: Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів
Other Titles: Tte exitons states calculations for these crystals with the charge carriers Fivas dispersion law
Authors: Бурий, O. A.
Данилевич, О. О.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Bibliographic description (Ukraine): Бурий O. A. Розрахунок екситонних станів у кристалах із фівазівським законом дисперсії носіїв зарядів / О. А. Бурий, О. О. Данилевич // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 97–105. – Бібліографія: 10 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 537.311.33
Number of pages: 97–105
Abstract: Розглянуто екситонні стани у шаруватому напівпровіднику, електронний та дірковий спектри якого описуються законами дисперсії Фіваза. Показано, що це завдання зводиться до розв'язання диференціального рівняння, яке містить операторні ланцюгові дроби. Розглянуто часткові випадки цього рівняння. Exiton states are considered for the layer semiconductor with Fivas dispersion laws for electrons and holes. It is shown, that the problem of the exiton spectrum calculation for these crystals come to the differential equation with operators chain fractions. The special cases of this equation are also considered.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42506
Copyright owner: © Бурий O. A., Данилевич О. О., 2001
References (Ukraine): 1. Беленький Г.Л., Стопачинский В.Б. // УФИ, 1983. — 140. - C. 233. 2. Нокс Р. Теория экситонов. - М., 1966. 3. Fivas R., Mosser E. // Phys. Rev., 1964. - 136, ЗА. - P. 833. 4. Fivas R // J. Phys. and Chem. Solids., 1967. - 28, 4. - P. 839. 5. Данилевич-ТовстюкK.K., Лукиянец Б.А. //ЖЭТФ, 1981. - 48, №3. - C. 428. 6. Jacobsen L., Thron WJ, Wäadeland H. // Analytic theory of continued fractions III, Springer-Verlag., 1989. - P. 25—47. 7. Shinada M., Sugano S. // J. Phys. Soc. Japan, 1966. - 21, - P.1936. 8. Зинец О.С., Сугаков В.И., Супрун А.Д. // ФТП, 1976. - 10, №я4. - С. 712. 9. Демидович Б.П., Марон И.А. Основы вычислительной мате матики. - М., 1963. 10. Григорчук Н.И. Форма экситонных полос поглощения и дисперсии света для кристаллов типа CdS. - K., 1976.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №423

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
18_97-105.pdf215,44 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.