Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42503
Title: ЕПР кристалів PbTe:G
Other Titles: EPR of PbTe:Gd crystals
Authors: Заячук, Д. М.
Полигач, Є. О.
Слинько, Є. Ї.
Хандожко, О. Г.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Чернівецьке відділення ІПМ НАН України
Чернівецький Національний Університет
Bibliographic description (Ukraine): ЕПР кристалів PbTe:G / Д. М. Заячук, Є. О. Полигач, Є. І. Слинько, О. Г. Хандожко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 81–86. – Бібліографія: 11 назв.
Conference/Event: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 81–86
Abstract: Досліджено спектри ЕПР монокристалів PbTe:Gd, вирощених методами Бріджмена та парової фази і легованих гадолінієм у процесі росту. Встановлено, що форма та інтенсивність ліній сигналу ЕПР іонів домішки гадолінію залежить від його концентрації, методу вирощування та типу провідності легованих кристалів, а також від способу введення легуючої домішки. Зроблено висновок, що отримані результати свідчать на користь гіпотези про утворення в процесі легування телуриду свинцю гадолінієм структурно-домішкових комплексів “домішка заміщення - вакансія телуру”. Уточнено величину g-фактора домішки гадолінію в досліджуваних кристалах при кімнатній температурі та температурі рідкого азоту. PbTe:Gd crystals grown by Bridgman and vapour phase methods and doped with Gd while growth process has been investigated. It was ascertained that both shape and intensity of EPR spectrum lines depend on Gd concentration, doping method, type of crystal conductivity and growth method. Conclusion was drown that EPR spectrum behaviors obtained for crystals under investigation give the seal to our theory about forming of “Gd3+-VTe” complexes in PbTe doped with Gd impurity. g-factor value has been specified for both room and liquid nitrogen temperatures.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42503
Copyright owner: © Заячук Д. М., Полигач Є. О., Слинько Є. І., Хандожко О. Г., 2001
References (Ukraine): 1. Уфимцев В.Б., Арбенина В.В. // Неорганические материалы, 1996. - 32. - с. 1171 1177. 2. Zayachuk D.M., Matulenis E.L., Mikityuk V.I. // J.Cryst.Growth, 1992. — 121. - Р. 235— 239. 3. Мастеров В.Ф. // ФТП, 1993 - 27. - С. - 1435-1453. 4. Cavallini A., Fraboni B, Binetti S., Pizzini S., Lazzarini L., Salviati G. // Phys. stat. sol. (а), 1999. - 171. - Р. 347-351. 5. ЗаячукД.М., Кемпник В.1. Полигач Є.О. // Вісник НУ “Львівська політехніка”, 2000. - №401. - С. 86-92. 6. Zayachuk D.M., Kempnyk VI., Bednarsky W, W&plak S. // J. Magnet. Magnet. Materials, 1999. - 191. - P. 207-210. 7. Bartkowski M., Northcott D.J., Park J.M., Reddoch A.H. //Sol. St. Commun, 1985. - 56. - P. 659-662. 8. Story T., Gorska M., Lusakowski A., ArciszewSka M., Dobrowolski W, Grodzicka E, Golacki Z., GalaZka R.R., // Phys. Rev. Lett, 1996. - 77. - P. 3447-3451. 9. Nimtz G. and Schlicht B., Narrow-gap semiconductors (Berlin: Springer), 1985. 10. Zayachuk D.M., Polyhach Ye.O., Mikityuk V.I., Baltrunas D., // Phys. stat. sol. (b), 2001. - 225. - P. 311-316. 11. Вертц Дж., Болтон Дж. Теория и практические применения метода ЗПР. - М., 1975.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №423

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
15_81-86.pdf170,01 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.