Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42502
Title: Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе
Other Titles: Low temperature transport of charge carrsers in Si-Ge whiskers with complex doping
Authors: Дружинін, А. О.
Лавитська, О. М.
Варшава, С. С.
Островський, І. П.
Лях, Н.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, С. С. Варшава, І. П. Островський, Н. Лях // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 76–80. – Бібліографія: 11 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 76–80
Abstract: Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42502
Copyright owner: © Дружинін A.O., Лавитська O.M., Варшава C.C., Островський І.П., Лях Н., 2001
References (Ukraine): 1. Бакиров М.Я. Электронные приборы на основе твердых растворов Ge-Si. - Баку, 1986.- 140 с.2. Байцар Р.1., Варшава С.С., Островський 1.П.// Вісник ДУ «Львівська політехніка», 1999. - №382. - С.3-7. 3. Байцар Р.1., Варшава С.С., Островська А.С., Пелех Л.М. // Вісник ДУ «Львівська політехніка», 1995. - №q289. - С. 3-8. 4. Ибрагимов Р.Ш., Палкин А.М. // ФТП, 1979, - 13. - № 9, - С.1688-1692. 5. Baitsar R\, Vainberg V.V., Varshava S.S. // Journal de Physique \ \\. - 1996. - 6. - C. 3-434. 6. Шалимова Н.Ф. Физика полупроводников. - М., 1985. 7. Шкловский Б.И., Эфрос А.А. Электронные свойства легированных полупроводников. - М., 1997. - 416 с. 8. Chroboczek J.A., Pollak F.H., Staunton H.F. Impurity conduction in silicon and effect of uniaxial compression on p-type Si. - Phil. Mag. B., 1984. - 50. - №1. - P.113-156. 9. Милнс А.Г. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. - М., 1973. 10. Горнык В.С. // ФТП, 1994. - 28. - №2. - С.228-231. 11. Иванов Ю.Л., Рывкин С.М. // ФТТ, - 1963. - 5, Вып.12. - С. 3541 - 3544.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №423

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
14_76-80.pdf169,32 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.