Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42490
Title: Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування
Other Titles: Modification odification of electrical properties of PbTe epitaxial layers under low energy bombardment
Authors: Берченко, M. M.
Богобоящий, В. В.
Іжнін, І. І.
Савицький, Г. В.
Юденков, В. О.
Affiliation: Національний університет “Львівська політехніка”
Кременчуцький державний політехнічний інститут
Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “Карат”
Bibliographic description (Ukraine): Модифікація електрофізичних властивостей епітаксійних шарів РbТе в умовах низькоенергетичного бомбардування / M. M. Берченко, В. В. Богобоящий, І. І. Іжнін, Г. В. Савицький, В. О. Юденков // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 423 : Електроніка. – С. 3–7. – Бібліографія: 13 назв.
Journal/Collection: Електроніка
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 3–7
Abstract: Вперше експериментально досліджено вплив низькоенергетичних іонів Аг в процесі іонно-променевого травлення (ІПТ) на електрофізичні властивості епітаксійних шарів РbТе p-типу та n-типу провідності. Показано, що така обробка призводить до p-n конверсії типу провідності в р-РbТе та зростаннюя концентрації електронів в n-РЬТе при зменшенні їх рухливості. Зміни властивостей відбуваються по усій товщині епітаксійних шарів (приблизно 2 мкм). Характер змін електрофізичних властивостей свідчить про введення в процесі ІПТ додаткових донорних центрів, пов’язаних з виникненням надлишкового свинцю. Механізми перебудови системи дефектів в РbТе при ІПТ докорінним чином відрізняється від таких у CdxHg1-xTe. The influence of low energy Ar ions under ion beam milling (IBM) on electrical properties of p-and n-type conductivity of the PbTe epitaxial layers was experimentally investigated for the first time. It has been shown that such treatment causes the p-n type conductivity conversion in p-PbTe and increasing of electron concentration in n- PbTe at decreasing their mobility. The property modification takes place at whole depth of epitaxial layers (approximately 2 µm). The electrical properties change behavior evidences the introducing under IBM the additional amount of donor centers connected with lead excess. The mechanism of defect rebuilding in PbTe under IBM distinguishes radically from the same in CdxHg1-xTe.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/42490
Copyright owner: © Берченко M.M., Богобоящий В.В., Іжнін І.І., Савицький Г.В., Юденков В. О., 2001
References (Ukraine): 1. Wfotherspoon J.T.M. // UK Patent M GB 2095898, l98l. 2. Siliquini J.F., Dell J.M., Musca C.A, Faraone L., Piotrowski J. II J.Cryst.Growth., 1998. 184I185. P.1219-1222. 3. Rolland S., Granger R., Triboulet R II J.Cryst.Growth, 1992. 11l. P.208-212. 4. Belas E., Grill R, Franc J., Toth A, Höschl P., Sitter H., Moravec P. II J.Cryst.Growth, 1996. 159. P.1111-1122. 5. Бoгoбoящuй B.B., Ижнш И.И. // ^ве^ш Byзoв. Фтша, 2000.- M 4З.- C.l6-25. 6. Palmetshofer L., Vierlinger E., Heinrich H., Haas L.D. II J.Appl.Phys., 1918. 49. P.1128-1130. 7. Гейман К.И., Заcавuцкuй И.И., Mаmвeeнкo A.B., ROIO\ AM. // ФТП, l979. ІЗ. C.887-890. 8. Mаmвeeнкo A.B., Медведев Ю.В., Бepчeнкo H.H. // Заpyбeжная элeкmpoнная mexнuка, l982.- M ll.- C.54-ll5. 9. Kubiak RA., Parker E.H.C., King RM., Wittmaack K II J.Vac.Sci.Technol., l983. Al. P.34-40. l0. Заячyк >.M., Шeндepoвcькuй B.A. // УФЖ, 1991.— M 36.- C.l692-l7l3. 11. Piotrowski J., Rogalski A. Polprzewodnikowe detektory podczerwieni.- W&rszswa, 1985. ^^pern >.M., Пpoкoniв B.B., Галyщак M.O., Пщ M.B., MаmeïкГ.Д. Kpucmалoxiмiя i mepмoдuнамiка аюмнш дeфeкmiв y cnoлyкаx AB.- Jванo-Фpанкiвcьк, 2000. l3. Бoгoбoящuй B.B., Bлаcoв A.П., Ижшн И.И. // Извеcm^ Byзoв. Фтша, 200l.- M 44.- C. 50—59.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2001. – №423

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2_3-7.pdf136 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.