Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/4109
Назва: Features of the Crystal and Electronic Structures of the Zr1-xYxNiSn Semiconductor
Автори: Krayovskyy, Roman
Romaka, Vitaly
Bovgyra, Oleg
Бібліографічний опис: Krayovskyy R. Гама-сканер круговогу огляду з кодуючою маскою / R. Krayovskyy, V. Romaka, O. Bovgyra // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали ІІІ Міжнародної конференції молодих вчених CSE–2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С.339 –340. – ( Міжнародний молодіжний фестиваль науки «Litteris et Artibus»). – Bibliography: 4 titles.
Дата публікації: 2009
Видавництво: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка»
Теми: temperature
thermometry
thermometric element
semiconductor
Короткий огляд (реферат): Crystal and electronic structures of the heavy, Y impurity, dopez ZrNiSn intermetallic semiconductor (Na=3,8*10/4,8*10cm)were investigated. It is rotined that alloing of n- ZrNiSn is accompaid arrangement of crystalline structure, the atoms of admixture occupy positions of atoms of Zr only, generating the defects of occeptor-type nature. Set area of existence of solid solution of Zr1-xYxNiSn, dependence, between the concentration of solid solution and direction and speed of drift of lever to Fermi, by the transition of conductivity dielectric-metal.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/4109
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Комп'ютерні науки та інженерія (CSE-2009 ). – 2009 р.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
121.pdf188,93 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.