Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39623
Title: Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
Other Titles: Mathematic model of transition process in memory cells based on josephson junctions
Authors: Тиханський, М. В.
Шуригін, Ф. М.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Тиханський М. В. Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів / М. В. Тиханський, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 201–207. – Бібліографія: 6 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.382.323
Number of pages: 201-207
Abstract: Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП, які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано, що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони (ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39623
Copyright owner: Тиханський М. В., Шуригін Ф. М., 2002
References (Ukraine): 1. Ван Дузер Т. Физические основы сверхпров. устройств. - М., 1984. 2. Лихарев К.К., Муханов О.А., Семенов В.К. / / ЖЭТФ. - 1987. - 58. — C. 147-154. 3. Рыглов С.В., Семенов В.К. / / Микроэлектроника. - 1988. -1 7 . — C. 195-205. 4. Грачева М.В., Катурников В.А., Руднев И.А. // ФНТ. - 1999. - 25, № 2. - C. 148-152. 5. Зремяк Я.М.,Тихансъкий М.В. // Вісн. Д У "Львівська політехніка ”. - 1998. - № 325. - C. 60-64. 6 . Duzer T. Van. / / IEEE Transactions on M icrowave Theory and Techn. - 1990. - 28. - P. 492-498.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
35_201-207.pdf161,22 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.