Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39620
Title: Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації
Other Titles: Izoelectron-concentrational lines around edged dislocation
Authors: Баран, М. М.
Пелещак, P. M.
Лукіянець, Б. А.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Баран М. М. Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації / М. М. Баран, Р. М. Пелещак, Б. А. Лукіянець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 185–191. – Бібліографія: 11 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621
Number of pages: 185-191
Abstract: У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39620
Copyright owner: Баран М. М., Пелещак P. M., Лукіянець Б. А., 2002
References (Ukraine): 1. Судзуки Т., Есинага X., Такнути С. Динамика дислокацій и пластичность. - M., 1989. 2. Бонч-Бруєвич В.Л., Гласко В.Б. / / ФТТ. - 1961. - 3, В.1. - С. 36-46. 3. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. / / УФН. - 1995. -1 6 5 , № 8 . - С. 888-905. 4. Стасюк 1.В., Пелещак P.M. / / УФЖ. - 1991. - 36, В. 11. - С. 1744. 5. Пелещак P.M., Лукіянець Б.A., Тупчак В.П. / / ЖФД. - 2000. - 4. - С. 165-170. 6 . Пелещак P.M. Электронные состояния деформации решётки кристалла при наличии точечных дефектов / / Препринт-69-53 ИТФ ФН УССР. - К., 1989. - 24 с. 7. Taguchi Tsunemasa, Kawakami Yoich , Yamada Yoichi / / Physica B. - 1993. - 23. - P. 191-196. 8 . Стасюк 1.В., Пелещак P.M. / / УФЖ. - 1999. - 44, В. 8 . - С. 856-860. 9. Peleschak R.M. / / Condensed Matter Physics. - 2000. - 3. - P. 169. 10. Коваленко А.В. / / ФТП. - 1997. - 31, В.1. - С. 11. 11. Пелещак P.M., Лукиянец Б.А. / / Письма в ЖТФ. - 1998. - 24, В. 3. - С. 32-38.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
32_185-191.pdf138,15 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.