Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39615
Title: Порівняльний аналіз процесів конверсії типу провідності В p-CdxHgi_xTe (x « 0,2)
Other Titles: Comparative analysis of type conductivity conversion processes in p-CdxHgi-xTe (x « 0,2)
Authors: Іжнін, І. І.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Іжнін І. І. Порівняльний аналіз процесів конверсії типу провідності В p-CdxHgi_xTe (x « 0,2) / І. І. Іжнін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 157–162. – Бібліографія: 7 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 157-162
Abstract: Проведено порівняльний аналіз процесів p -n -конверсії типу провідності при термічному відпалі, іонно-променевому травленні та відпалі анодного оксиду на ідентичних зразках вакансійно-легованого р-Cd^Hg^Te. Вважалося, що у всіх цих процесах конверсія зумовлена дифузією міжвузловинних атомів ртуті з відповідного джерела та рекомбінацією її з власними акцепторами - катіонними вакансіями. Показано, що ефективні коефіцієнти дифузії міжвузловинних атомів ртуті, які визначають товщину конвертованого шару, при термічному відпалі в насиченій парі ртуті та відпалі анодного оксиду для цієї ж температури є однаковими, і це свідчить про ідентичність джерела дифузії ртуті. У випадку іонно-променевого травлення величина ефективний коефіцієнт дифузії свідчить про гігантське (у 10 7- 10 8 разів) збільшення дифузійного потоку Hg порівняно з її термодифузійним потоком у насиченій парі. Збільшення дифузійного потоку Hg зумовлено утворенням поверхневого джерела Hg із надзвичайно великою концентрацією (близько 101“2 -10113J см 3), яка зростає при збільшенні густини струму іонів. The work is devoted to the comparative analysis of the p-n type conductivity processes under thermal annealing, ion-beam milling and anodic oxide annealing on identical samples of the vacancy-doped р-Cd^Hg^Te. It was assumed that in all these processes type conductivity conversion is due to mercury interstitial diffusion from corresponding source and their recombination with native acceptors - cationic vacancies. It has been demonstrated that the mercury interstitial effective diffusion coefficients which determined converted layer depth under thermal annealing in saturated mercury vapor and anodic oxide annealing at the same temperature are similar. It may witness about the identity mercury diffusion sources. Under the ion-beam milling effective diffusion coefficient value shows the giant (in 10 7-180 times) increase of the Hg diffusion flow in comparison with its thermodiffusion flow in saturated vapor. It is stipulated by the formation of the surface Hg source with extremely high concentration (approximately 10 12 -10 13 с т 3) that rises when ion current increasing.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39615
Copyright owner: Іжнін І. І., 2002
References (Ukraine): 1. Shaw D., Capper P. // J. o f Materials Science. - 2000. -1 1 . - P. 169-177. 2. Shaw D. “Properties o f narrow gap cadmium-based compounds”, ed. By Capper P., INSPEC, IEE. - London, 1994. 3. Brogowski P., Piotrowski J. / / Semicond. Sci. Technol. -1990. - 5. - P. 530-533. 4. Wotherspoon J.T.M. // UK Patent № GB 2095898,1981. 5. Ivanov-Omskii V.I., M ironov K.E., M ynbaev K.D. / / Semicond. Sci. Technol. - 1993. - 8. - P. 634-637. 6. Schaake H.F., Tregilgas J.H., Bec J.D., Kinch M.A., Gnade B.E. // J. Vac. Sci. Technol. - 1985. - A3. - P. 143-149. 7. Богобоящий В.В., Елизаров А.В., Иванов-Омский В.И. и др. / / ФТП. - 1985. - 19. - С. 819-824. 8. Bogoboyashchyy V.V. / / Functional Materials. - 2001. - 8. - P. 609-614. 9. Blackman M.V., Charlton D.E., Jenner M.D., Purdy D.R., Wotherspoon J.T.M., Elliot C.T., Wite A.M. / / Electron. Lett. - 1987. - 23. - P. 978-979. 10. Haakenaasen R., Colin T., Steen H., Trosdahl-Iversen L. / / J. Electron. Mater. - 2000. - 29. - P. 849-852. 11. Bogoboyashchii V.V., Izhnin I.I. / / Russian Physics J. - 2000. - 43. - P. 627-636. 12. Bogoboyashchii V.V., Kurbanov K.R., Oksanich A.P. / / Functional materials. - 2000. - 7. - P. 546-551. 13. Vydyanath H.R. / / J. Electrochem. Soc. - 1981. -1 2 8 . - P. 2609-2619. 14. Bogoboyashchii V.V., Vlasov A.P., Izhnin I.I. //Russian Physics J. - 2001. - 44. - P. 61-70. 15. Богобоящий В.В. / / Конд. среды и межфазные границы. - 2000. - 2. - С. 132-137.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
27_157-162.pdf181,7 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.