Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Електричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та Cu
Other Titles: Electrical properties of layered In2Se3 crystals doped with Cd, I, and Cu
Authors: Заслонкін, А. В.
Ковалюк, З. Д.
Мінтянський, І. В.
Янчук, О. І.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Електричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та Cu / А. В. Заслонкін, З. Д. Ковалюк, І. В. Мінтянський, О.І. Янчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 142–147. – Бібліографія: 4 назви.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.562
Number of pages: 142-147
Abstract: У діапазоні 80-400 К досліджено електричні властивості спеціально нелегованих та легованих 0,1 мас. % кадмію, йоду чи міді монокристалів In2Se3 гексагональної фази. Значна зміна концентрації вільних електронів зафіксована лише при введенні домішки галогену: від 4,910 17 (In2Se3) до 1,6-101 8 см3 при 300 К. Отримана температурна залежність рухливості електронів вздовж шарів пояснена їх взаємодією з акустичними фононами і нейтральними домішками. Встановлено, що найбільш істотно при легуванні змінюється провідність впоперек шарів, зокрема, до 10 разів для In2Se3<Cd>. Electrical properties of layered In2Se3 are investigated between 80 and 400 K for intentionally undoped and containing 0.1 wt.% of cadmium, iodine, or copper single crystals of the hexagonal phase. We have found that the essential change of electron density at 300 K from 4,9-1017 cm-3 for undoped In2Se3 to 1,6-1018 cm-3 takes place after doping with iodine. The obtained changes of the Hall mobility along the layers with temperature are explained by the interactions of electrons with acoustic phonons and neutral impurities. It is established that the conductivity across the layers is the most essentially affected by doping. In particular, for In2Se3<Cd> samples it is increased nearly by two orders of magnitude.
Copyright owner: Заслонкін А. В., Ковалюк З. Д , Мінтянський І. В., Янчук О. І, 2002
References (Ukraine): 1. Micocci G., Tepore A., Rella R., Siciliano P. //Phys. Stat. Sol. -1991. - 126A. - P. 437-442. 2. De Blasi C., Drigo A.V., Micocci G., TeporeA. // J. Cryst. Growth. -1989. - 94. - P. 455-458. 3. Julien C., Eddrief M., Balkanski M., Hatrikraniotis E., Kambas K. // Phys. Stat. Sol. - 1985. - 88A. - P. 687-695. 4. Julien C., Balkanski M. / / Mater. Sci. Eng. - 1996. - B38, № 1. - P. 1-8.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
25_142-147.pdf202,4 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.