Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39598
Title: Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si
Other Titles: Influence of deformation on impurity conduction in Si-Ge solid solution whiskers
Authors: Дружинін, А. О.
Лавитська, О. М.
Островський, І. П.
Лях, Н. С.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, І. П. Островський, Н. С. Лях // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 126–133. – Бібліографія: 13назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 126-133
Abstract: У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39598
Copyright owner: Дружинін А. О., Лавитська О. М., Островський І. П., Лях Н. С., 2002
References (Ukraine): 1. Maryamova I., Druzhinin A., Lavitska E., Hortynska I., Yatzuk Y. / / Sensors and Actuators A85. - 2000. - P. 153-157. 2. Байцар P.И., Рак B.C. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1998. - 1 . - C. 29-31. 3. Gule E.G., Rudko G.Yu., KlimovskayaA.I. et.al. / / Proceedings SPIE. - 1995. - 2648. - P. 778-385. 4. Baitsar R.I., Kurylo I.V., Varshava S.S., Ostrovskii I.P. / / Functional materials. - 2001. - 8, N 2. - P. 373-376. 5. Druzhinin A., Hortynska I., Maryamova I., Lavitska E. et.al. / / Proceedings SPIE. - 2000. - 4413. P. 143-147. 6. Druzhinin A., Lavitska E., M aryamova I. et al. / / Cryst.Res. Technol. - 2002. - 37. - P. 243-257. 7. Chrobochek J.A., Pollak R.H., Staunton H.F. / / Philosophical Magazine. - 1984. - 50. - P. 113-156. 8. Шаховцева С.Ш., Семенюк Ю.А., Басокурова И.Н. / / УФЖ. - 1987. - 32, № 1. - С. 93-95. 9. Байцар Р.1., Варшава С.С., Островський 1.П. / / Вісн. Д У Львівська політехніка”. - 1999. - № 382. - С. 3-7. 10. Шкловский В.И., Эфос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. - М., 1979. - 416 с. 11. Дружинін А.О., Лавитська О.М., Варшава С.С., Островський 1.П., Лях Н.С. / / Вісн. Н У “Львівська політехніка”. - 2001. - № 423. - С. 76-80. 12. Мотт Н.Ф. Переходы металл-изолятор. - М., 1979. - 342 с. 13. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: Справочник. - К., 1974. - 704 с.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
23_126-133.pdf201,45 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.