Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39597
Title: Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів
Other Titles: Simulation of semiconductor microcrystals physicochemical growth processes and complex doping
Authors: Большакова, І. А.
Московець, Т. А.
Копцев, П. С.
Макідо, О. Ю.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалів / І. А. Большакова, Т. А. Московець, П. С. Копцев, О. Ю. Макідо // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 121–125. – Бібліографія: 6 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 121-125
Abstract: Проведено термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікрокристалів InAs та InSb з використанням комплексного металургійного легування під час їх росту за методом хімічних транспортних реакцій в закритій йодидній системі. Визначено рівноважний склад газової фази систем InA s-Sn-I2 та InSb-Sn-I2. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваних систем та встановлено вплив домішок Sn і Сг на рівноважний склад газової фази базових систем. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів InAs та InSb, які підтверджені експериментально. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs and InSb microcrystals with the use of complex metallurgical doping during their growth by means of chemical transport reactions in the closed iodide system was performed. Equilibrium compositions of gas phase for InA s-Sn-I2 and InSb-Sn-I2 systems were determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied systems was performed and influence of Sn and Cr impurities was determined upon the equilibrium composition of gas phase for the basic systems. Experimentally confirmed optimal technological modes for InAs and InSb microcrystal growth were determined.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39597
Copyright owner: Большакова І. А., Московець Т. А., Копцев П. С., Макідо О. Ю., 2002
References (Ukraine): 1. Voronin V., M aryamova I., Ostrovskaya A. / / Cryst. Prop.and Preparation. - 1991. - 36-3S. - P. 340. 2. Voronin V.A. Research in Physico-Chemical Growth o f InAs from Vapor Phase. - In: Chemical Vapor Deposition: Proc. 3rd Intern. Conf. - Salt Lake Sity, USA; 1972. - P. 37-47. 3. Сандулова A.B., Бережкова Г.В., Дронюк М.И., Петрушко B.A. / / Изв. A H СССР. Cep. Неорг. мат. - 1972. - S, № 7. - C. 1224-1228. 4. Термодинамические свойства неорганических веществ: Справочник / Под ред. A.n. Зе- фирова. - М., 1965. 5. Диаграммы состояний. - М., 1973. - C. 1242-1244; 199-200. 6. Большакова И.A., Смольская Т.В., Московец T.A. Термодинамическое исследование гетерогенной системы InSb-I2 / / Физическая электроника. - 1978. - № 17. - C. 21-24.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
22_121-125.pdf131,4 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.