Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39595
Title: Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію
Other Titles: Volt-ampere charateristics of metal-semiconductors structure on the base of polycrystal silicon
Authors: Цмоць, В. М.
Хляп, Г. М.
Паньків, Л. І.
Лабовка, Д. В.
Петренко, В. В.
Новоставський, Р. В.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремнію / В. М. Цмоць, Г. М. Хляп, Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, В. В. Петренко, Р. В. Новоставський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 103–109. – Бібліографія: 5 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315
Number of pages: 103-109
Abstract: Досліджено польові характеристики (залежність струму від прикладеного електричного поля) контактів метал - напівпровідник на основі полі- і монокристалів кремнію n-типу провідності. Визначено домінуючі механізми струмопроходження і показано, що, як емісія Пула - Френкеля, так і степенева залежність струму від поля спостерігаються на структурах обох типів. Для структури метал - моно-n-Si реєструється залежність I ~ Fm, де m < 1 в усьому діапазоні прикладених полів. Field characteristics (current-applied electric field) of metal - semiconductor structures based on mono- and poly-n-Si crystals are investigated at room temperature. The dominant current mechanisms are determined. It is shown that Pool - Frenkel emission and power law current are registered for all structures. The samples metalmono- Si show the dependence I ~ F , m < 1 under all range of applied fields.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39595
Copyright owner: Цмоць В. М., Хляп Г. М., Паньків Л. І., Лабовка Д. В., Петренко В. В., Новоставський Р. В., 2002
References (Ukraine): 1. Коугия К.В., Теруков Е.И. / / Физика и техника полупроводников. - 2001. - 35. - C. 643-648. 2. ГоревН.Б., ПрохоровЕ.Ф., Уколов А.Т. //Микроэлектроника. -1994. -2 4 . - C. 42-47. 3. Поликристаллические полупроводники / Под ред. Г. Харбеке. - М., 1989. - 344 с. 4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. T. 1. - М., 1984. - 454 с. 5. Hernandez E. / / Cryst. Res. Technol. - 1998. -1 4 . - P. 285-290.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
20_103-109.pdf151,03 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.