Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39592
Title: Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ
Other Titles: Improving of repeatability of threshold voltage of dmosfets
Authors: Невзоров, В. В.
Смеркло, Л. М.
Дорош, Н. В.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Невзоров В. В.Покращання відтворюванності порогової напруги Дмон-ПТ / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло, Н. В. Дорош // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 87–90. – Бібліографія: 5 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.382.323
Number of pages: 87-90
Abstract: Досліджено вплив методу стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію на порогову напругу ДМОН транзисторів. Показано, що метод стравлювання тонкого приповерхневого шару кремнію покращує відтворюванність порогової напруги і підвищує пробивну напругу окислу. The influence of a method of etch removal of silicon thin surface layer on threshold voltage of DMOSFETs is investigated. It is shown, that the method of etch removal of silicon thin surface layer improves repeatability of threshold voltage and increases oxide breakdown voltage.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39592
Copyright owner: Невзоров В. В., Смеркло Л. М., Дорош Н. В., 2002
References (Ukraine): 1. Зи С. Физика полупроводниковым приборов: В 2 кн. І Пер с англ.; Под ред. P.A. Суриса. - М., 1984. - 455 с. 2. Cheng Y.C. Electronic States at the Silicon- Silicon Dioxide Interface / / Prog Surf. Sci. - 1977. - S. - P. 181. 3. Deüal B.T. The Curent Understating o f Charges in the Thermally Oxized Silicon // Structure. J. Electrochem. Soc. - 1974. -1 2 1 . - P. 198 . 4. Горушко В.A., Данилович Н.И., Лесникова В.П., Пилипенко ВЛ . Лазерная обработка поверхности кремниевіх пластин II Поверхность. Физика, химия, механика. - 1984. - V. - C. 113-118 5. Полтавцев Ю.Г., Князев A .Q Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. - К., 1990. - 205 с.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
17_87-90.pdf140,64 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.