Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39591
Title: Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів
Other Titles: Hydrogenated porous silicon in solar cells structures
Authors: Єрохов, В. Ю.
Мельник, І. І.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Єрохов В. Ю. Гідрогенізований пористий кремній в структурах сонячних елементів / В. Ю. Єрохов, І. І. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 80–86. – Бібліографія: 5 назв.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 80-86
Abstract: Метою даної роботи була розробка технології одержання ефективного та рентабельного антивідбивного покриття (ARC) на основі пористого кремнію (PS), яке було б максимально адаптоване до процесів створення кремнієвих СЕ. Завдяки оптимізації умов анодного процесу інтегральний коефіцієнт відбивання PS в діапазоні 400-1000 нм зменшено до 7,59 % для пористих шарів, вирощених на полірованій поверхні, та до 1,72 % для шарів, що вирощені на текстурованій поверхні. Мінімізація оптичних втрат дозволила підвищити на більше ніж 50 % струм короткого замикання для моно- та мультікристалічних СЕ, на фронтальній поверхні яких було сформовано ARC на основі PS. При цьому приріст ККД по відношенню до СЕ без ARC склав 31 та 22 %, відповідно. The purpose of present paper was development of technology of generation of efficient and cost-effective porous silicon (PS) based antireflection coating (ARC), which would be the most adapted to the silicon solar cell (SC) processing sequence. Owing to optimization of anodization process conditions the average reflection coefficient of PS in range of 400-1000 nm was decreased to 7,59 % for porous layers, grown on polished surface, and to 1,72 % for layers that were grown on textured surface. Minimization of optical losses allowed to improve short circuit current by over than 50 % for mono- and multicrystalline SC that had PS based ARC formed on frontal surface. Under this, the increment of efficiency of these SCs (in comparison to SC without ARC) was 31 and 22 %, correspondingly.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39591
Copyright owner: Єрохов В. Ю., Мельник І. І., 2002
References (Ukraine): 1. Tsuo S. et al., Proc. 23rdIEEE-PVSC, 287 (1993). 2. Bastide S. et al., Proc. 12th EPSEC, 780 (1994.) 3. Krotkus A. et al., Sol. Energy Mater. and Sol. Cells., 45, 267 (1997). 4. Stalmans L. et al., Proc. 14th EPSEC, 2484 (1997). 5. Bastide S. et al., Proc. 13th EPSEC, 1280 (1995).
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
16_80-86.pdf205,25 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.