Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39582
Title: Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ
Other Titles: Influence of complex doping with Sn, Yb and Al on the properties of thick GaAs epitaxial layers grown by LPE method
Authors: Круковський, С. І.
Заячук, Д. М.
Мрихін, І. О.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Круковський С. І. Вплив комплексного легування Sn, Yb та AI на властивості товстих епітаксій них шарів GaAs, вирощених методом РФЕ / С. І. Круковський, Д. М. Заячук, І. О. Мрихін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 33–38. – Бібліографія: 9 назв.
Conference/Event: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 621.315.592
Number of pages: 33-38
Abstract: Досліджено вплив комплексного легування домішками олова, ітербію та алюмінію розчинів-розплавів галію на електрофізичні параметри шарів GaAs, вирощуваних методом РФЕ в інтервалі температур 800-600 °С. Показано, що зазначене легування дозволяє в широких межах - від 1,5-1018 см-3 до 1 1 0 16 см-3 - керувати концентрацією вільних електронів та підвищувати їх рухливості до рівня, близького до теоретичного значення для некомпенсованих матеріалів. Аналізуються можливі механізми впливу багатокомпонентного легування на електрофізичні параметри епітаксійних шарів GaAs. The influence of complex doping with tin, ytterbium and aluminum of gallium solutions - melts on the electrophysical parameters of GaAs epitaxial layers grown by LPE method in an interval of temperatures 800-600 °C is investigated. It is shown that mentioned doping lets to control of free carrier concentration in wide range from 1,51018 up to 1-1016 cm-3 as well as to raise their mobility to the level corresponded to theoretical value for theuncompensated material. The possible mechanisms of multicomponent doping influence on electrophysical parameters of GaAs layers are analyzed.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39582
Copyright owner: Круковський С. І., Заячук Д. М., Мрихін І. О.
References (Ukraine): 1. Корольков В.И., Рахимов Н.Р. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. - Ташкент, 1986. 2. Андреев В.М., Ларионов В.Р., Румянцев В Д ., Федорова О.М., Шамухамедов Ш.Ш. // Письма в ЖТФ. - 1983. - 9. - С. 1251-1254. 3. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. - М., 1983. 4. Беспалов В.А., Елкин А.Г., Журкин Б.Г., Квит Ф.И., Октябрьский С.Р., Пережогин Г.А. // Краткие сообщения по физике. - 1987. - 9. - С. 32-34. 5. Заячук Д.М., Круковський С.1. / / Вісн. Н У “Львівська політехніка”. - 2001. - № 430. - С. 73-76. 6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1. - М., 1984. 7. Шишияну Ф. С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах. - Кишинев, 1978. 8. Лебедев В.А., Кобер В.И., Ямщиков Л.Ф. Термохимия сплавов редкоземельных и актиноидных элементов: Справочник. - Челябинск, 1989. 9. Стрельченко С. С., Лебедев В.В. Соединения А 3 В 5: Справочник. - М., 1984.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
7_33-38.pdf145,29 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.