Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39579
Title: Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання
Other Titles: Ultra thin doped layers formation in semiconductors under the action of laser radiation
Authors: Бончик, О. Ю.
Кияк, С. Г.
Могиляк, І. А.
Паливода, І. П.
СавицькийГ.В., Г. В.
Тростинський, І. П.
Affiliation: Національний університет "Львівська політехніка"
Bibliographic description (Ukraine): Формування надтонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання / О. Ю. Бончик, С. Г. Кияк, І. А. Могиляк, І. П. Паливода, Г. В. Савицький, І. П. Тростинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 15–20. – Бібліографія: 4 назви.
Journal/Collection: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Issue Date: 2002
Publisher: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Country (code): UA
Place of the edition/event: Львів
UDC: 539.315
Number of pages: 15-20
Abstract: Експериментально досліджена можливість твердофазного легування напівпровідників під дією потужного лазерного випромінювання з довжиною хвилі, для якої напівпровідник є прозорим. Досліджені основні електрофізичні параметри р-п-переходів і омічних контактів в Si, GaAs, GaP, ІпР, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. На основі аналізу параметрів напівпровідникових структур показано, що метод лазерного твердофазного легування напівпровідників є конкурентоспроможним порівняно з технікою іонної імплантації і традиційною дифузійною технологією. A p-n-junctions formed by means of laser stimulated diffusion of dopants into semiconductors (Si, GaAs, InP) were investigated. SIMS and AES spectroscopy methods were used to measure the depth profiles of the incorporated impurities: B into Si; Zn, into GaAs and InP. The comparative analysis of parameters of formed semiconductor structure shows that the procedure of laser solid-phase doping can stand the comparison with technology of implantation and conventional diffusion technology.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/39579
Copyright owner: Бончик О. Ю., Кияк С. Г., Могиляк І. А., Паливода І. П., Савицький Г. В., Тростинський І. П.
References (Ukraine): 1. Bonchik A., Kiyak S., Gotra Z., Proszak W. Laser technology fo r submicron-doped layers formation in semiconductors. Optics & laser technology. - 2001. - 33. - P. 589-591. 2. Bonchik A., Kiyak S., Mikhailova G., Pokhmurska A., Savitsky G. Formation o f p -n - junctions and ohmic contacts with GaAs by laser solid-phase diffusion. Quantum Electronics. - 1995. - 25. - P. 85-86. 3. Bonchik A., Kiyak S., Pokhmurska A., Savitsky G. Laser solid-phase modification o f semiconductors. Proceedings o f the First Polish-Ukrainian Symposium “New Materials fo r Solar C ells”, Cracow-Przegorzaly, 21-22 October 1996. - P. 259-263. 4. Wang K., Parker S., Cheng C., Long J. Diffusion in InP using evaporated Zn3P 2 film with transient annealing / / J. Appl. Phys. - 1988. - 63. - P. 2104-2109.
Content type: Article
Appears in Collections:Електроніка. – 2002. – №455

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4_15-20.pdf170,71 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.