Електроніка. – 2002. – №455 : [38] Домівка зібрання Перегляд статистики

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.

Огляд
Підпишіться на це зібрання, щоб щодня отримувати повідомлення по електронній пошті про нові додавання RSS Feed RSS Feed RSS Feed
Матеріали зібрання (Дати збереження, сортування за спаданням): від 1 до 20 з 38
Попередній переглядТипДата випускуНазваАвтор(и)
Other2002Зміст до Вісника "Електроніка" № 455-
Other2002Титульний аркуш до Вісника "Електроніка" № 455-
Article2002Іонні процеси в радіаційно забарвлених кристалахЧорній, З. П.; Щур, Г. О.; Качан, С. І.; Салапак, В. М.; Пірко, І. Б.
Article2002Термодинамічний аналіз окислювальних реакцій в електродахТовстюк, К. К.
Article2002Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронівТиханський, М. В.; Шуригін, Ф. М.
Article2002Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAsСиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.
Article2002Дослідження коливань струму газового розряду в комірці Пеннінга з секційним анодомЗахарків, А. Б.; Шандра, З. А.
Article2002Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокаціїБаран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.
Article2002Визначення параметрів міжґраткових обмінних взаємодій у ферит-шпінелі ni0 ,8 CUo,i6 BIo,o4 FE2 O4 за даними fe5 7 ядерного гамма-резонансу спектроскопіїЮр ’єв, С. О.; Ющук, С. І.; Лопатинський, І. Є.
Article2002Деформаційна залежність енергії утворення 2s-екситона у напруженій квантовій ямі ZnSe/ZnSПелещак, P. M.; Романів, І. Б.
Article2002Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTeМалик, О. П.; Кеньо, Г. В.
Article2002Діелектричні властивості тонких плівок 4-нітро-4’-амінодифенілуКравців, М. М.
Article2002Порівняльний аналіз процесів конверсії типу провідності В p-CdxHgi_xTe (x « 0,2)Іжнін, І. І.
Article2002Особливості ЕПР активності домішки гадолінію в кристалах твердих розчинів телуридів свинцю і оловаЗаячук, Д. М.; Кемпник, В. І.; Полигач, Є. О.; Слинько, С. І.; Хандожко, О. Г.
Article2002Електричні властивості шаруватих кристалів In2Se3 легованих Cd, J та CuЗаслонкін, А. В.; Ковалюк, З. Д.; Мінтянський, І. В.; Янчук, О. І.
Article2002Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурахДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.
Article2002Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-SiДружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.
Article2002Моделювання фізико-хімічних процесів росту та комплексного легування напівпровідникових мікрокристалівБольшакова, І. А.; Московець, Т. А.; Копцев, П. С.; Макідо, О. Ю.
Article2002Метод двократних вимірювань для заповнення матриць фотопружного ефекту кристалів різних класів симетрії апробація методу на прикладі кристалів ß-BaB2Ü4Андрущак, A. C.; Бобицький, Я. В.; Гнатик, Б. І.; Кайдан, М. В.; Мицик, Б. Г.
Article2002Вольт-амперні характеристики структури метал – напівпровідник на основі полікристалічного кремніюЦмоць, В. М.; Хляп, Г. М.; Паньків, Л. І.; Лабовка, Д. В.; Петренко, В. В.; Новоставський, Р. В.
Матеріали зібрання (Дати збереження, сортування за спаданням): від 1 до 20 з 38