Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/3879
Назва: Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe
Автори: Малик, О. П.
Собчук, І. С.
Бібліографічний опис: Малик О. П. Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe / О. П. Малик, І. С. Собчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2007. – № 601 : Фізико-математичні науки. – С. 78–81. – Бібліографія: 19 назв.
Дата публікації: 2007
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Теми: напівпровідники
явища переносу
Короткий огляд (реферат): Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/3879
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Фізико-математичні науки. – 2007. – №601

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
13.pdf523,58 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.