Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/35767
Назва: Перехідні шари в гетероструктурах на основі CdHgTe
Інші назви: Transition layers in CdHgTe heterostructures
Автори: Курило, l. B.
Рудий, І. 0.
Лопатинський, І. Є.
Фружинський, М. С.
Вірт, І. С.
Власенко, З. К.
Бібліографічний опис: Перехідні шари в гетероструктурах на основі CdHgTe / l. B. Курило, І. 0. Рудий, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський, І. С. Вірт, З. К. Власенко // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 20–29. – Бібліографія: 18 назв.
Дата публікації: 2004
Видавництво: Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Короткий огляд (реферат): Методами електронографії, растрової та трансмісійної електронної мікроскопії, електронної Оже-спектроскопії, мікромеханічних досліджень та селективного хімічного травлення досліджували початкові стадії росту та формування перехідних шарів гетероструктур на основі CdHgTe, вирощених ізотермічною парофазною епітаксією та імпульсним лазерним осадженням. By electron diffraction, scanning and transmission electron microscopy, Auger-electron apectroscopy, micromechanical investigation and preferencial etching the initial stages of growth and the formation of the transition layers in heterostructures CdHgTe were investigated. The heterostructures were grown by isothermal vapor phase epitaxy and pulsed laser deposition.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/35767
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2004. – №513

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5_20-29.pdf1,51 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.