Please use this identifier to cite or link to this item: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/3215
Title: Термоелектричні та магнетні характеристики ниткуватих кристалів Si1-xGex та творення на їх основі сенсорів теплових величин
Other Titles: Термоэлектрические и магнитные характеристики нитевидных кристаллов Si1-xGex и создание на их основе сенсоров тепловых величин
Thermoelectric and magnetic properties of Si1-xGex whiskers and creation of thermal sensors on their basis
Authors: Когут, Юрій Романович
Bibliographic description (Ukraine): Когут Ю. Р. Термоелектричні та магнетні характеристики ниткуватих кристалів Si1-xGex та створення на їх основі сенсорів теплових величин : автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук : 05.27.01 – твердотільна електроніка / Юрій Романович Когут ; Національний університет "Львівська політехніка". – Львів, 2009. – 20 с. – Бібліографія: с. 16–18 (23 назви).
Issue Date: 2009
Publisher: Національний університет "Львівська політехніка"
Keywords: whisker
silicon–germanium solid solution
magnetoresistance
magnetic susceptibility
Seebeck coefficient
temperature sensor
нитевидный кристалл (НК)
твердый раствор кремний–германий
магнитосопротивление
магнитная восприимчивость
коэффициент Зеебека
сенсор температуры
ниткуватий кристал (НК)
твердий розчин кремній– германій
магнетоопір
магнетна сприйнятливість
коефіцієнт Зеєбека
сенсор температури
Abstract: Дисертація присвячена створенню та прогнозуванню характеристик сенсорів теплових величин для широкого інтервалу температур на основі ниткуватих кристалів твердого розчину Si1-хGeх (х=0,01–0,1) р-типу провідності, легованих домішками <B>, <B,Au>, <B, Hf> до концентрації з діелектричного боку переходу метал-діелектрик. Наведено результати досліджень терморезистивних і термоелектричних властивостей ниткуватих кристалів Si1-xGex в інтервалі низьких та підвищених температур під дією деформування та магнетного поля, визначено механізми транспорту носіїв заряду в широкому інтервалі температур і степенів легування напівпровідника. Проведено дослідження магнетних властивостей НК та дестабілізуючого впливу зовнішніх магнетних полів на термометричні характеристики НК Si1-xGex. Розраховано основні термоелектричні та термометричні параметри НК і зроблено оцінку можливості їх використання у сенсорах теплових величин для кріогенних та підвищених температур. На основі НК Si1-xGex створено високочутливі малоінерційні сенсори температури та різниці температур для інтервалів кріогенних (20–120К) та підвищених (300–550К) температур, працездатні в умовах дії достатньо сильних зовнішніх магнетних полів. Дисертація присвячена створенню та прогнозуванню характеристик сенсорів теплових величин для широкого інтервалу температур на основі ниткуватих кристалів твердого розчину Si1-хGeх (х=0,01–0,1) р-типу провідності, легованих. Диссертация посвящена созданию и прогнозированию характеристик сенсоров тепловых величин для широкого интервала температур на основе нитевидных кристаллов твердого расствора Si1-хGeх (х=0,01–0,1) р-типа проводимости, легированных примесями <B>, <B, Au>, <B, Hf> до концентраций с диэлектрической стороны перехода металл-диэлектрик. Представлены результаты исследования терморезистивных и термоэлектрических свойств нитевидных кристаллов Si1-xGex в интервале низких и повышенных температур под воздействием деформирования и магнитного поля, определены механизмы транспорта носителей заряда в широком интервале температур и уровней легирования полупроводника. Проведены исследования магнитных свойств НК и дестабилизирующего влияния внешних магнитных полей на термометрические характеристики НК Si1-xGex. Рассчитаны основные термоэлектрические и термометрические параметры НК, проведена оценка возможности их использования в сенсорах тепловых величин для криогенных и повышенных температур. На основе НК Si1-xGex разработаны высокочувствительные малоинерционные сенсоры температуры и разности температур для криогенных (20–120К) и повышенных (300–550К) температур, работоспособны в условиях воздействия достаточно сильных внешних магнитных полей. The thesis deals with the creation and characteristics estimation of thermal sensors for the wide temperature range on the basis of the p-type Si1-хGeх (х=0,01–0,1) solid solution whiskers doped with <B>, <B,Au> or <B, Hf> impurity combinations at the insulator side of metal-insulator transition. The results of studies of conductivity thermal dependencies and thermoelectric properties of Si1-xGex whiskers at low and elevated temperatures and at the influence of strain and magnetic field are described. Mechanisms of charge carriers transport in wide ranges of temperatures and doping levels have been determined. Studies of magnetic properties of whiskers and destabilizing influence of external magnetic fields concerning thermometrical characteristics of Si1-xGex whiskers have been carried out. The main thermoelectric parameters of whiskers have been calculated and the possibility of their sensors application at cryogenic and elevated temperatures has been estimated. On the basis of Si1-xGex whiskers high-sensitive low-inertia temperature and temperature difference sensors for ranges of cryogenic (20–120К) and elevated (300–550К) temperatures have been created. The sensors are operable even in sufficiently high magnetic fields.
URI: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/3215
Content type: Autoreferat
Appears in Collections:Автореферати та дисертаційні роботи

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
avt_01337224.pdf1,37 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.