Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30935
Назва: Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe
Інші назви: Shock wave treatment of Hg1-xCdx Te/CdTe structures
Автори: Яковина, В. С.
Берченко, М. М.
Ільчук, Г. А.
Українець, Н. А.
Бібліографічний опис: Яковина В. С. Ударна обробка структуриHg1-xCdx Te/CdTe / В. С. Яковина, М. М. Берченко, Г. А. Ільчук, Н. А. Українець // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 80–85. – Бібліографія: 15 назв.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Короткий огляд (реферат): На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30935
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
12-80-85.pdf553,91 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.