Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30926
Назва: Електричні властивості структур напівпровідників-ферит
Інші назви: Elektrical properties of semiconductor-ferrite structures
Автори: Ющук, С. І.
Байцар, Г. С.
Байцар, Р. І.
Варшава, С. С.
Бібліографічний опис: Ющук С. І. Електричні властивості структур напівпровідників-ферит / С. І. Ющук, Г. С. Байцар, Р. І. Байцар, С. С. Варшава // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 168–172. – Бібліографія: 14 назв.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Видавництво Львівської політехніки
Короткий огляд (реферат): Досліджено структури напівпровідників-ферит, сформовані тісним контактом між напівпровідниковим монокристалом InSb (магніторезистор-МР) і феритовою підкладкою. Використовувалися орієнтовані монокристалічні підкладки MnxZn1-xFe2O4, YFeO3, Mn-Zn-полікристали і плівки ферогранітів, які були вирощені рідкофазною епітаксією (РФЕ) на підкладках з галій-гадолінієвого граніту (Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.). Досліджено вплив феритових підкладок на вольт-амперні характеристики і встановлено, що чутливість МР зростає залежно від магнітного поля для різних значень робочого струму І0.Semiconductor – ferrite structures, formed by means of tight contact between InSb monocrystal (magnetoresister -MR) and ferrite substrate have been investigated. The oriented MnxZn1-xFe2O4 monocrystal substrates, YFeO3, Mn-Zn policrystal ferrite and YIG films epitaxially grown on GGG surface from liquid-phase (LPE) were used. Substrate influence at the VAC and the voltage gain on magnetoresistor increase depending on the magnetic field (B) for different I0 were investigated.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30926
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
25-168-172.pdf544,71 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.