Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30918
Назва: Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника
Інші назви: The laser-induced wave as defect transformation mechanism of semiconductor structure
Автори: Городниченко, О. С.
Гнатюк, В. А.
Юр'єв, С. О.
Ракобовчук, Л. М.
Бібліографічний опис: Городниченко О. С. Лазерна ударна хвиля як механізм трансформації дефектної структури напівпровідника / О. С. Городниченко, В. А. Гнатюк, С. О. Юр’єв, Л. М. Ракобовчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 55–62. – Бібліографія: 28 назв.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Короткий огляд (реферат): На підставі узагальнення літературних даних та експериментів щодо опромінення варізонних епітаксійних шарів CdxHg1-xTe розглянуто вплив лазерно-індуктивних ударних хвиль на властивості напівпровідників з метою подальшого з'ясування механізмів дефектоперетворення при імпульсному лазерному опроміненні. Обговорюються фізичні процеси генерації та наведено вирази для критерію виникнення, глибини утворення та амплітуди ударної хвилі. Відзначається перспективність використання лазерних ударних хвиль при оптимізації функціональних параметрів напівпровідникових структур. On the basis of literature data and the exeperiments on irradiation of epitaxial CdxHg1-xTe layers the influence of laser-induced waves on the properties of semiconductors are analyzed with a view to identification of defect transformation mechanisms under pulsed laser irradiation/ The physical processes of the shock wave generation are discussed and the expression for a criterion and depth of the formation of a shock wave and for its amplutude are offered. It is pointed that using the laser-induced shock waves is a promising method for optimization of performance parameters of semiconductor structures.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30918
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
8-55-62.pdf927,77 kBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.