Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30915
Назва: Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs) отримані МПЕ: структура,напруження,фізичні властивості
Інші назви: CdHgTe/(Si,GaAs) heterostructures obtained by MBE: structure, stresses, physical, properties
Автори: Войцеховський, А. В.
Вірт, І. С.
Коханенко, А. П.
Курило, І. В.
Рудий, І. О.
Лопатинський, І. Є.
Фружинський, М. С.
Бібліографічний опис: Гетероструктури CdHgTe/(Si,GaAs), отримані МПЕ: структура, напруження, фізичні властивості / І. С. Вірт, А. В. Войцеховський, А. П. Коханенко, І. В. Курило, І. О. Рудий, І. Є. Лопатинський, М. С. Фружинський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 3–12. – Бібліографія: 21 назва.
Дата публікації: 2003
Видавництво: Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
Короткий огляд (реферат): Методами дифракції електронів високих енергійна відбивання та растрової електронної мікроскопії досліджена структура та морфологія поверхні епітаксійних плівок (ЕП) CdHgTe, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на підкладках Si (111) та GaAs (112) з буферними шарами.Досліджено деякі механічні невідповідності в багатошарових гетероструктурах, у тому числі й структурах з анодним оксидом.Подано результати досліджень деяких електрофізичних та фотоелектричних властивостей ЕП. The crystal structures and surface morphology of CdHgTe epitaxial films grown by molecular-beam epitaxy on Si (111) and GaAs (112) substrates with buffer layers by the electron diffraction methob and electron scanning microscopy were investigated.Some mechanical properties epitaxial films, elastic properties of interfaces and characteristic misfit dislocations in multilayers heterostructures including structures with anodi oxides are investigated.Electrophysical and photoelectric parameters of CdHgTe epitaxial films were measured.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/30915
Тип вмісту : Article
Розташовується у зібраннях:Електроніка. – 2003. – №482

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2-3-12.pdf1,44 MBAdobe PDFПереглянути/відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.